[發(fā)明專利]熱釋電陶瓷材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211625774.4 | 申請日: | 2022-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN116396075A | 公開(公告)日: | 2023-07-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳偉;王紅建;鐘陳鑫 | 申請(專利權)人: | 惠州市鑫永誠傳感科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/493 | 分類號: | C04B35/493;H10N15/10;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11315 | 代理人: | 林怡妏 |
| 地址: | 516000 廣東省惠州市仲愷*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱釋電 陶瓷材料 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明揭示了一種熱釋電陶瓷材料及其制備方法,其中,熱釋電陶瓷材料的化學組成為:(Pbsubgt;1?x?y/subgt;Bisubgt;x/subgt;Srsubgt;y/subgt;)(Mnsubgt;1/3/subgt;Tasubgt;2/3/subgt;)subgt;z/subgt;(Zrsubgt;0.91/subgt;Tisubgt;0.09/subgt;)subgt;1?z/subgt;Osubgt;3/subgt;+Φ@%A,其中0≦x≦0.05,0≦y≦0.05,0.01≦z≦0.1,0.1≦Φ≦3,A為Bsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、Crsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、Bisubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;、ZnO、CuO、MgO、MnOsubgt;2/subgt;、Alsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;中的至少一種。本申請通過通過摻雜Bi元素與Sr元素取代PZT晶格中的A位,摻雜Mn元素與Ta元素取代PZT晶格中的B位,從而在提高PZT材料熱釋電系數(shù)的同時,降低其介電常數(shù),并提高材料燒結(jié)質(zhì)量,提高致密性。
技術領域
本發(fā)明涉及陶瓷材料技術領域,具體地,涉及一種熱釋電陶瓷材料及其制備方法。
背景技術
富鋯型鋯鈦酸鉛(Pb(Zrx,Ti1-x)O3,簡稱PZT)由于其豐富的相變行為,使得其具有顯著的熱釋電性能,可廣泛應用于非制冷紅外探測領域,并且由于其在中、遠紅外波段具有優(yōu)良的探測能力,可感知人體所輻射的紅外線(約9.6微米),使得基于富鋯型PZT制備的被動型紅外傳感器(Passive?Infrared?Sensor,PIR?sensor)在人體探測領域的應用得到快速發(fā)展,基于PZT的PIR傳感器被廣泛應用于人體紅外移動探測、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、智能家電、自動照明開關、空氣凈化器以及網(wǎng)絡監(jiān)控等領域。
為了保證PZT的燒結(jié)質(zhì)量,在PZT的制備過程中要盡量避免雜質(zhì)的引入,所以在其原料中會盡量減少添加劑占比,然而純PZT的熱釋電效應與壓電效應較低,導致其最終產(chǎn)品在應用于被動式紅外傳感器時靈敏度低,探測效果差。為了解決這一問題,現(xiàn)有技術通過引入摻雜元素取代PZT晶格中A位的Pb或者B位的Ti,Zr可對PZT的熱釋電性能進行提高改善,但添加不同摻雜元素可能引起PZT其他電學、機械性能的惡化。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術的不足,本發(fā)明提供一種熱釋電陶瓷材料。
本發(fā)明公開的一種熱釋電陶瓷材料的化學組成為:(Pb1-x-yBixSry)(Mn1/3Ta2/3)z(Zr0.91Ti0.09)1-zO3+Φ@%A,其中0≦x≦0.05,0≦y≦0.05,0.01≦z≦0.1,0.1≦Φ≦3,A為B2O3、Cr2O3、Bi2O3、ZnO、CuO、MgO、MnO2、Al2O3中的至少一種。
一種如上述的熱釋電陶瓷材料的制備方法,包括以下步驟:
按照(Pb1-x-yBixSry)(Mn1/3Ta2/3)z(Zr0.91Ti0.09)1-zO3+Φ@%A的元素計量比準備粉末原料,通過濕法球磨混合,得到熱釋電陶瓷漿料;
將熱釋電陶瓷漿料進行預燒,制得熱釋電陶瓷粉體;
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