[發明專利]便捷測量光掩模上光罩護膜蒙貼位移量的方法及光掩模在審
| 申請號： | 202211623777.4 | 申請日： | 2022-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN116047858A | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發明（設計）人： | 田正洲;葛海鳴;包忍 | 申請（專利權）人： | 廣州新銳光掩模科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/44 | 分類號： | G03F1/44;G01B5/02;G01D5/26;G03F1/84 |
| 代理公司： | 北京清大紫荊知識產權代理有限公司 11718 | 代理人： | 趙然;黃貞君 |
| 地址： | 510555 廣東省廣州市(*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 便捷 測量 光掩模 上光 罩護膜蒙貼 位移 方法 | ||
1.一種便捷測量光掩模上光罩護膜蒙貼位移量的方法，其特征在于，步驟如下：
S1，在光掩模表面設置標尺，所述標尺以光掩模表面設置的定位線為基準，所述標尺每格度數的量級為微米級；
S2，蒙貼光罩護膜于光掩模的表面；
S3，通過顯微鏡觀測光罩護膜的邊沿在標尺上的讀數，得出光罩護膜于光掩模表面蒙貼的位移量。
2.根據權利要求1所述的便捷測量光掩模上光罩護膜蒙貼位移量的方法，其特征在于，步驟S1包括：
S11，在光掩模表面上的每條定位線上均設置標尺；
S12，使每個所述標尺均在Y軸方向與對應定位線重疊。
3.根據權利要求2所述的便捷測量光掩模上光罩護膜蒙貼位移量的方法，其特征在于，步驟S3包括：
S31，通過顯微鏡觀測光罩護膜的邊沿在各個標尺上的讀數，得出光罩護膜于光掩模表面蒙貼的位移量。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的便捷測量光掩模上光罩護膜蒙貼位移量的方法，其特征在于，所述標尺通過曝光機在光掩模表面描畫形成。
5.一種便捷測量光罩護膜蒙貼位移量的光掩模，其特征在于，包括光掩模，所述光掩模的表面蒙貼有光罩護膜；
所述光掩模的表面設有標尺，所述標尺的長度方向沿Y軸方向設置，所述標尺至少與光掩模表面一側的定位線在Y軸方向上重疊，所述標尺每格度數的量級均為微米級；
所述光罩護膜的邊沿至少部分區域覆蓋于標尺上。
6.根據權利要求5所述的便捷測量光罩護膜蒙貼位移量的光掩模，其特征在于，所述光掩模表面于Y軸方向上的兩側各設置有兩根定位線，所述定位線用于供光罩護膜定位；
所述標尺共有四個，四個所述標尺分別一一對應于四根定位線設置。
7.根據權利要求6所述的便捷測量光罩護膜蒙貼位移量的光掩模，其特征在于，每個所述標尺均至少有部分區域在Y軸方向上完全重疊于對應的定位線。
8.根據權利要求7所述的便捷測量光罩護膜蒙貼位移量的光掩模，其特征在于，每個所述標尺均在Y軸方向上完全重疊于對應的定位線，且所述標尺的兩端分別與對應定位線的兩側于Y軸方向上對齊。
9.根據權利要求7所述的便捷測量光罩護膜蒙貼位移量的光掩模，其特征在于，四個所述標尺的尺寸規格均完全一致，且每個所述標尺的最小刻度均為10微米。
10.根據權利要求5至9中任一項所述的便捷測量光罩護膜蒙貼位移量的光掩模，其特征在于，所述標尺通過曝光機在光掩模表面描畫形成。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
