[發明專利]一種半導體晶圓貼膜工藝

有效

• 申請號: 202211622603.6
• 申請日: 2022-12-16
• 公開（公告）號: CN116130384B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 張帆;張延頗
• 申請（專利權）人: 江蘇寶浦萊半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 宿遷嶸錦專利代理事務所(普通合伙) 32497
• 代理人: 陳科行

1.一種半導體晶圓貼膜工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、通過接管(3)對按壓層(9)和上平臺(4)的容腔充入介質(12)，在充入介質(12)過程中，按壓層(9)向下凸起，形成半球形或半橢球形狀后，關閉接管(3)上的閥門，通過液壓表(10)觀測按壓層(9)內介質(12)的壓力情況；

S2、根據工作環境溫度和晶圓(8)的尺寸，通過加熱裝置(11)對上平臺(4)進行加熱，加熱溫度可選范圍0—90度，根據溫度計(2)、紅外測溫器(5)分別測量按壓層(9)和其內部的內介質(12)的溫度，再調整加熱裝置(11)設定加熱要求；

S3、將固定盤(14)放置在下平臺(7)的限位裝置(13)外圓處，再把晶圓(8)放置在下平臺(7)的限位裝置(13)內圓處，下平臺(7)帶有真空吸附裝置，啟動真空吸附裝置，將晶圓(8)固定在限位裝置(13)內圓處，再把需要貼敷的薄膜平整的覆蓋在晶圓(8)及固定盤(14)的表面；

S4、啟動伸縮機構(1)，推動上平臺(4)向下平臺(7)靠近，按壓層(9)的頂部先接觸晶圓(8)的中心位置，隨著按壓層(9)繼續下壓，按壓層(9)與晶圓(8)接觸面面積逐漸擴大，根據液壓表(10)的壓力值變化情況，控制伸縮機構(1)下壓的行程，直到達到設定壓力要求，最終按壓層(9)會覆蓋晶圓(8)及固定盤(14)的表面；

S5、根據工作環境溫度、晶圓(8)的尺寸和壓力要求，設定按壓層(9)與晶圓(8)的貼合停留時間，然后伸縮機構(1)上抬，完成一次貼膜工作，此時晶圓(8)、薄膜、固定盤(14)就被固定成一體，便于后續晶圓的切割；

S6、采用旋轉割刀，切除固定盤(14)表面邊緣處多余的薄膜，關閉真空吸附裝置，將晶圓(8)、薄膜、固定盤(14)一同從限位裝置(13)上取出，即可進行重復貼膜工作。

2.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓貼膜工藝，其特征在于：所述上平臺(4)上端與伸縮機構(1)固定連接，用于實現上平臺(4)的上下壓合動作，所述按壓層(9)通過固定環(6)密封固定在上平臺(4)的下端。

3.根據權利要求1或2所述的一種半導體晶圓貼膜工藝，其特征在于：所述伸縮機構(1)為液壓或氣壓或連桿機構。

4.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓貼膜工藝，其特征在于：所述接管(3)、溫度計(2)管、液壓表(10)均穿過上平臺(4)與按壓層(9)、上平臺(4)構成的容腔連通，所述接管(3)上設置有閥門用于對按壓層(9)內充填介質(12)。

5.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓貼膜工藝，其特征在于：所述加熱裝置(11)的加熱方式為電阻加熱或低頻感應加熱方式。

6.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓貼膜工藝，其特征在于：所述限位裝置(13)為臺階狀圓柱，固定盤(14)通過內圓套在限位裝置(13)的外圓上，起到定位作用。