[發明專利]一種半導體的熱處理設備及其使用方法

在審

• 申請號: 202211622343.2
• 申請日: 2022-12-16
• 公開（公告）號: CN116153809A
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 張新峰;德米特羅維奇·德米特里;龍安澤;高欣;石然;黃杰;冒振東;杜陳
• 申請（專利權）人: 江蘇卓遠半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種半導體的熱處理設備，包括外管體，所述外管體的頂部安裝有兩組錯位布置的圓桿，所述外管體的底壁安裝有環形內管，所述外管體的外壁安裝有支撐環，兩組所述圓桿的外表面套接有鏤空底板，所述鏤空底板的頂部安裝有調節板，所述調節板的頂部設置有嵌合槽，所述嵌合槽的內壁安裝有兩組并排布置的卡合塊，兩組所述卡合塊的頂部均安裝有直立桿，所述直立桿的外表面設置有多組上下布置的環形槽，兩組所述直立桿的外表面均套接有套筒。本發明中，可控制進入環形內管中熱氣體的含量，同時其能夠適用于多種不同尺寸的半導體晶圓，且通過采用夾持晶圓圓周表面來降低晶圓被遮擋的區域，以便其最大程度與熱氣體相接觸。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體為一種半導體的熱處理設備及其使用方法。

背景技術

在集成電路、光伏等半導體制造領域，對晶圓進行熱處理的立式或者臥式爐管設備已經被廣泛使用，半導體加工過程中，需要在晶圓的表面沉積一層薄膜，從而提升晶圓的性能，在熱處理工藝中，通常將晶圓置于熱處理設備的腔室中，控制腔室達到工藝所需的溫度，使晶圓內部發生預期的變化。

現有的半導體的熱處理設備存在的缺陷是：

1、在半導體進行熱處理作業中，由于半導體所形成的晶圓，其具備多種不同型號尺寸，而現有的半導體熱處理設備中大都是在晶圓的下方放置一組承載臺，其中晶圓尺寸過小時，容易出現承載臺與晶圓不匹配的問題，反之，晶圓過大時，其底面與承載臺接觸過多，此部分較難與熱處理的氣體進行接觸，繼而降低了此晶圓熱處理的效果；

2、在半導體進行熱處理作業中，半導體晶圓通常是放置在承載臺的上方，此類放置方法中，晶圓的底部與承載臺的頂部有較多接觸，之后設備中導入熱氣體時，晶圓與承載臺的接觸部位較難受到熱氣體的作用，導致此處的覆膜性較低，影響實際使用；

3、專在半導體的熱處理設備中，熱氣體進入設備內部后，晶圓片處于靜止狀態，僅靠熱氣體本身的流動來與晶圓片接觸，晶圓片進行熱處理的效率較為緩慢，影響最終效率；

4、在半導體的熱處理設備中，熱氣體進入設備內部后，晶圓片處于靜止狀態，僅靠熱氣體本身的流動來與晶圓片接觸，晶圓片進行熱處理的效率較為緩慢，影響最終效率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體的熱處理設備及其使用方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種半導體的熱處理設備，包括外管體，所述外管體的頂部安裝有兩組錯位布置的圓桿，所述外管體的底壁安裝有環形內管，所述外管體的外壁安裝有支撐環；

兩組所述圓桿的外表面套接有鏤空底板，所述鏤空底板的頂部安裝有調節板，所述調節板的頂部設置有嵌合槽，所述嵌合槽的內壁安裝有兩組并排布置的卡合塊，兩組所述卡合塊的頂部均安裝有直立桿，所述直立桿的外表面設置有多組上下布置的環形槽，兩組所述直立桿的外表面均套接有套筒，兩組所述套筒相反的一側外壁均安裝有連接板，所述環形內管的兩側外壁均貫穿安裝有電動推桿，且兩組電動推桿的一端分別與兩組連接板的外表面貼合。

作為優選的，所述環形槽的內壁安裝有銜接套環，所述銜接套環的一側外壁安裝有兩組上下布置的銜接板，其中一組所述銜接板的頂部安裝有組合桿，且組合桿的底部貫穿另一組銜接板的內部，所述組合桿的外表面安裝有兩組上下布置的活動板，所述組合桿的外表面環繞安裝有彈簧，兩組所述銜接板和兩組活動板的外表面均安裝有弧形板，兩組所述弧形板的一端均安裝有弧形夾板。

作為優選的，兩組所述弧形夾板的正面均設置有通槽，兩組所述通槽的內壁均安裝有緊固塊，其中一組所述緊固塊的正面和另外一組緊固塊的背面均安裝有橡膠板，兩組所述弧形夾板的頂部均安裝有緊固釘，且緊固釘的底部貫穿緊固塊的內部，兩組所述橡膠板之間夾持有晶圓片。