[發(fā)明專利]顯示面板、顯示模組、顯示裝置及顯示面板的效率調(diào)整方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211619864.2 | 申請日： | 2022-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN115884614A | 公開（公告）日： | 2023-03-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 顏志敏;焦福星 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號： | H10K50/11 | 分類號： | H10K50/11;H10K71/00;H10K59/12;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人： | 尹紅敏 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示 面板 模組 顯示裝置 效率 調(diào)整 方法 | ||
1.一種顯示面板，其特征在于，至少包括層疊設(shè)置的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層，其中，
所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層均用于發(fā)藍光，所述第一發(fā)光層發(fā)射的色光在CIEy-BI坐標(biāo)系中具有第一曲線，第二發(fā)光層發(fā)射的色光在CIEy-BI坐標(biāo)系中具有第二曲線，所述第一曲線和所述第二曲線的波峰的色品坐標(biāo)值之差小于或等于0.01；
和/或，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層用于發(fā)綠光，所述第一發(fā)光層發(fā)射的色光在CIEx-CE坐標(biāo)系中具有第五曲線，所述第二發(fā)光層發(fā)射的色光在CIEx-CE坐標(biāo)系中具有第六曲線，所述第五曲線和所述第六曲線的波峰的色品坐標(biāo)值與目標(biāo)CIEx值之差小于或等于0.05。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括第一電極和第二電極，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層均位于所述第一電極和所述第二電極之間；
優(yōu)選的，所述第一電極為陽極，且所述第一發(fā)光層位于所述第二發(fā)光層朝向所述第一電極的一側(cè)；
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層為相鄰的發(fā)光層；
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層用于發(fā)藍光，所述第一曲線和所述第二曲線的波峰的色品坐標(biāo)值之差小于或等于0.005。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一發(fā)光層在波長-光譜強度坐標(biāo)系中具有第三曲線，所述第二發(fā)光層在波長-光譜強度坐標(biāo)系中具有第四曲線，在相同的發(fā)射峰位下，所述第三曲線的半峰寬小于所述第四曲線的半峰寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層用于發(fā)藍光，所述第三曲線的半峰寬與所述第四曲線的半峰寬之差為10nm～30nm；
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層的材料包括硼-氮類材料；
和/或，所述第二發(fā)光層的材料包括含蒽類材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層用于發(fā)綠光，所述第三曲線的半峰寬與所述第四曲線的半峰寬之差為5nm～30nm；
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層的材料包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一發(fā)光層在波長-光譜強度坐標(biāo)系中具有第三曲線，所述第二發(fā)光層在波長-光譜強度坐標(biāo)系中具有第四曲線，所述第三曲線的波峰的波長值小于所述第四曲線的波峰的波長值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述第三曲線的波峰的波長值和所述第四曲線的波峰的波長值之差為1nm～10nm；
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層均包括主體材料，所述第一發(fā)光層至少部分主體材料的分子極性小于所述第二發(fā)光層至少部分主體材料的分子極性；
和/或，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層均包括客體材料，所述第一發(fā)光層至少部分客體材料的分子極性大于所述第二發(fā)光層至少部分客體材料的分子極性；
和/或，所述第一發(fā)光層和第二發(fā)光層均包括客體材料，且所述第一發(fā)光層的客體材料的摻雜濃度大于所述第二發(fā)光層的客體材料的摻雜濃度；
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層用于發(fā)藍光，所述第三曲線的波峰的波長值和所述第四曲線的波峰的波長值之差為2nm～4nm；
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層用于發(fā)藍光，所述第一發(fā)光層的材料包括：
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層用于發(fā)綠光，所述第三曲線的波峰的波長值和所述第四曲線的波峰的波長值之差為1nm～2nm；
優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層用于發(fā)綠光，所述第一發(fā)光層的材料包括：
其中，R1和R2各自獨立的選自以下基團中的一種：-H、-CH3、-OCH3、-NH2、-C(CH3)3，且R1和R2不同時為-H；和/或，R3、R4、R5和R6各自獨立的選自以下基團中的一種：-H、-COOH、-X(Cl,Br,I)、-NO2、-CN，且R3、R4、R5和R6不同時為-H。
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