[發(fā)明專利]三線圈變壓器及低噪聲放大器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211614868.1 | 申請日： | 2022-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN116013656A | 公開（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張雷;王競擇 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號： | H01F27/28 | 分類號： | H01F27/28;H01F19/00;H03F1/26;H03F1/56;H01F27/33;H01F29/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 線圈 變壓器 低噪聲放大器 | ||
1.一種三圈變壓器，其特征在于，包括三個(gè)電感線圈，其中，
第一電感線圈和第二電感線圈，均為具有封閉形狀的線圈，且兩者存在重疊；
第三電感線圈，為由第一主體和第二主體通過交叉跳線形成的“8”字型線圈，所述第一主體和第二主體均與所述第一電感線圈和所述第二電感線圈存在疊合，且所述交叉跳線不與所述第一電感線圈和所述第二電感線圈接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三線圈變壓器，其特征在于，所述第三電感線圈為對稱或非對稱的“8”字型線圈。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三線圈變壓器，其特征在于，所述第三電感線圈與所述第一電感線圈的耦合系數(shù)同所述第一主體和所述第二主體分別與所述第一電感線圈的疊合面積之比成正相關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三線圈變壓器，其特征在于，所述第三電感線圈與所述第二電感線圈的耦合系數(shù)同所述第一主體和所述第二主體分別與所述第二電感線圈的疊合面積之比成正相關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三線圈變壓器，其特征在于，所述第一電感線圈和所述第二電感線圈為全等形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三線圈變壓器，其特征在于，所述第一電感線圈和所述第二電感線圈位于所述第三電感線圈的同一側(cè)或者兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三線圈變壓器，其特征在于，所述第一電感線圈、所述第二電感線圈和所述第三電感線圈的主體采用不同的金屬制成，且所選金屬應(yīng)保證各電感線圈的電阻損耗盡可能小。
8.一種低噪聲放大器，其特征在于，包括根據(jù)的權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的三線圈變壓器。
9.一種低噪聲放大器，其特征在于，包括晶體管、電容和根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的三線圈變壓器，
所述晶體管的源極接入地-信號-地接口GSG；
所述第一電感線圈的一端連接所述晶體管的源極、另一端接地，所述第二電感線圈的一端連接所述晶體管的柵極、另一端連接直流偏置電壓VB，所述第三電感線圈的一端連接所述晶體管的漏極、另一端連接電源VDD；
所述電容與所述第三電感線圈構(gòu)成級間匹配網(wǎng)絡(luò)，所述電容的一端連接所述晶體管的漏極、另一端連接負(fù)載。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述晶體管采用NMOS晶體管。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學(xué)，未經(jīng)清華大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211614868.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
