[發明專利]一種增強納米晶體發光性能的封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202211613319.2
• 申請日: 2022-12-15
• 公開（公告）號: CN115942780A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 吳之海;夏軍;張易晨
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H10K50/852
• 分類號: H10K50/852;H10K50/115;H10K50/84;H10K50/844;H10K71/00;H10K77/10;H10K71/20;H10K71/12
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 沈廉

1.一種增強納米晶體發光性能的封裝結構，其特征在于：包括由里到外依次設置的發光層，諧振腔和封裝層，所述最里層的發光層是納米晶體，中間層的諧振腔是由若干個相互獨立的金屬氧化物空腔構成，最外層的封裝層是透明高分子聚合物，當納米晶體的發射波長與諧振腔匹配時形成共振，耦合系統的發光顯著增強，高分子聚合物起到保護和穩定納米晶體的作用。

2.根據權利要求1所述的一種增強納米晶體發光性能的封裝結構，其特征在于，所述諧振腔的形狀為半球形、錐形、倒金字塔形、多邊體狀或桶狀。

3.根據權利要求1所述的一種增強納米晶體發光性能的封裝結構，其特征在于，所述納米晶體為CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、InA傳統納米晶與鈣鈦礦納米晶中任意一種或其組合。

4.根據權利要求3所述的一種增強納米晶體發光性能的封裝結構，其特征在于，所述鈣鈦礦納米晶為具有通式ABX₃的金屬鹵化物鈣鈦礦，其中A位陽離子包括MA⁺(CH₃NH₃⁺)、FA⁺([(NH₂)₂CH]⁺)和Cs⁺；B位主要是Pb²⁺，或使用不同的金屬離子Sr²⁺、Zn²⁺、Ni²⁺、Mn²⁺、Cd²⁺、Sn²⁺、Co²⁺、Eu³⁺、Er³⁺、Yb³⁺、Bi³⁺部分或完全取代Pb²⁺；X＝Cl、Br、I。

5.一種如權利要求1所述的增強納米晶體發光性能的封裝結構的制備方法，其特征在于，該制備方法具體包括以下步驟：

步驟1，在基板上組裝二維致密納米球陣列并進行干法刻蝕處理；

步驟2，將金屬氧化物溶膠沉積于刻蝕過的納米球陣列間，通過去除納米球并結晶金屬氧化物框架，形成納米諧振腔；

步驟3，將納米晶體或其前驅液與高分子聚合物的混合物涂覆在含有納米諧振腔的基板上，加熱促進溶劑蒸發和納米晶體生長；

步驟4，從基板上剝離以獲得獨立的納米晶復合薄膜即增強納米晶體發光性能的封裝結構。

6.根據權利要求5所述的增強納米晶體發光性能的封裝結構的制備方法，其特征在于，所述二維致密納米球陣列的組裝是重力自組裝法、Langmuir-Blodgett沉積、旋涂、電泳沉積、垂直沉積法或利用微推進注射MPI系統中任意一種。

7.根據權利要求5所述的增強納米晶體發光性能的封裝結構的制備方法，其特征在于，所述納米晶復合薄膜，其光致發光光譜分別具有400-500nm、500-600nm、600-700nm波長，其中，

所述納米晶復合薄膜光致發光光譜在400-500nm波長時，選用的所述納米球為：直徑300-370nm、濃度2.5-5wt％的聚苯乙烯球；

所述納米晶復合薄膜光致發光光譜在500-600nm波長時，選用的所述納米球為：直徑370-450nm、濃度2.5-5wt％的聚苯乙烯球；

所述納米晶復合薄膜光致發光光譜在600-700nm波長時，選用的所述納米球為：直徑450-530nm、濃度2.5-5wt％的聚苯乙烯球。