[發(fā)明專利]一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法

在審

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• 申請日: 2022-12-14
• 公開（公告）號: CN116052590A
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雨程;殷照;高紅佳;陳鑫;朱鵬;丁進(jìn)
• 申請（專利權(quán)）人: 南京國兆光電科技有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 南京睿之博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32296
• 代理人: 楊雷

1.一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法，其特征在于：COB封裝的硅基OLED微顯示器包括玻璃、硅基OLED屏、集成加熱電路的PCB驅(qū)動(dòng)背板，硅基OLED屏包括設(shè)置在底部的硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片；硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片上集成了溫度采集電路和加熱控制電路；所述硅基OLED屏通過絕緣導(dǎo)熱膠貼裝在PCB驅(qū)動(dòng)背板上，并通過金屬絲鍵合在一起，所述玻璃覆合在OLED屏上；所述硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片上溫度采集電路采集硅基OLED屏的溫度，再傳輸至加熱控制電路，所述加熱控制電路控制所述PCB驅(qū)動(dòng)背板上的加熱電路工作，所述PCB驅(qū)動(dòng)背板上的加熱電路產(chǎn)生的熱量透過絕緣導(dǎo)熱膠傳輸至硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片上，實(shí)現(xiàn)亮度自適應(yīng)補(bǔ)償，在低溫下提高硅基OLED屏的顯示亮度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法，其特征在于：所述加熱電路包括加熱阻絲R1、N型溝道MOS管MN1、濾波電容C1；加熱阻絲R1的一端與輸入電壓源VDD相連，另一端與N型溝道MOS管MN1的漏極相連；N型溝道MOS管MN1的柵極與濾波電容C1的一端、硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片中加熱控制電路的控制信號相連，濾波電容C1的另一端接地，N型溝道MOS管MN1的源極接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法，其特征在于，所述加熱阻絲是在PCB驅(qū)動(dòng)背板的TOP層進(jìn)行繞線；N型溝道MOS管MN1、濾波電容C1設(shè)置在PCB驅(qū)動(dòng)背板的底面，通過在PCB驅(qū)動(dòng)背板上打過孔實(shí)現(xiàn)與電壓源VDD、加熱阻絲R1的連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法，其特征在于，加熱阻絲的繞線方式為根據(jù)硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片的大小進(jìn)行回字形繞線，同時(shí)繞線與過孔之間留出安全距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法，其特征在于，PCB驅(qū)動(dòng)背板的TOP層對加熱阻絲進(jìn)行開窗。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法，其特征在于，所述亮度自適應(yīng)補(bǔ)償具體步驟為：硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片上溫度采集電路實(shí)時(shí)采集外界環(huán)境溫度并傳輸至加熱控制電路，加熱控制電路輸出PWM信號作為控制信號，并連接至PCB驅(qū)動(dòng)背板上加熱電路中N型溝道MOS管MN1的柵極，N型溝道MOS管MN1導(dǎo)通后將輸入電壓源VDD加載到硅基OLED微顯示器PCB驅(qū)動(dòng)背板的加熱阻絲R1上，實(shí)現(xiàn)加熱功能；加熱阻絲R1產(chǎn)生的熱量透過絕緣導(dǎo)熱膠傳輸至硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片上使其溫度升高，硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片中溫度采集電路采集到溫度后反饋給加熱控制電路，加熱控制電路調(diào)整輸出的PWM信號，PWM信號控制驅(qū)動(dòng)背板的加熱功率，使硅基OLED屏提升到穩(wěn)定的溫度，以達(dá)到硅基OLED屏發(fā)光亮度恒定的效果。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法，其特征在于，PWM控制信號與硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片中溫度采集電路采集到的溫度滿足以下公式：

式中，k為PWM控制信號，取值范圍為0到1；T為硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片中溫度采集電路采集到的溫度；a和b為控制系數(shù)，可以通過硅基OLED屏驅(qū)動(dòng)芯片上的寄存器值進(jìn)行調(diào)整，a的調(diào)整范圍為0到1，b的調(diào)整范圍為-1到0；驅(qū)動(dòng)背板上加熱電路的發(fā)熱功率滿足以下公式：

式中，P為加熱電路的發(fā)熱功率，k為PWM控制信號，U為輸入電壓VDD，R為加熱電路的加熱阻絲阻值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于硅基OLED低溫下的亮度自適應(yīng)補(bǔ)償方法，其特征在于，所述的PCB驅(qū)動(dòng)背板的制作材料為耐溫性和導(dǎo)熱性較好的PCB板材。