[發(fā)明專利]一種低電壓低漏電二極管的制造方法

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• 申請日: 2022-12-15
• 公開（公告）號: CN115831741A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王立偉;陳宇
• 申請（專利權(quán)）人: 朝陽微電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/861
• 代理公司: 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348
• 代理人: 侯蔚寰

本發(fā)明公開了一種低電壓低漏電二極管的制造方法，所述低電壓低漏電二極管包括硅片，硅片為P型材料，區(qū)分正面，背面，正面經(jīng)過加工后表面淀積為多晶硅，同時(shí)刻蝕有隔離槽，在隔離槽內(nèi)部有光阻玻璃粉進(jìn)行填充，進(jìn)一步減少漏電；所述低電壓低漏電二極管的制造方法包括：硅片清洗、淀積多晶硅、有源區(qū)注入、再分布、隔離槽光刻、隔離槽刻蝕、光阻玻璃粉燒熔、二次光刻、硅片正面金屬化、反刻金屬、硅片背面清洗、硅片背面金屬化、劃片和芯片貯存。本發(fā)明的有益效果是：該低電壓低漏電二極管制造方法，具有電壓低，漏電流小，穩(wěn)定性強(qiáng)，可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種環(huán)境和質(zhì)量等級要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子元件的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種小電容導(dǎo)向整流管的制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種材料。半導(dǎo)體在生活中的各類電子儀器上有著廣泛的應(yīng)用。

目前，在電子元件芯片領(lǐng)域中，絕大多數(shù)低電壓二極管普遍呈現(xiàn)漏電較大的情況。

普通的低壓二極管芯片制作是通過增加鈍化層達(dá)到降低漏電流的目的，但是這種方式，降低漏電流效果不明顯。因此需要一種新的工藝方法，來進(jìn)一步降低低壓二極管的漏電流，為此，我們提出一種低電壓低漏電二極管制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明正是為了解決上述技術(shù)問題而設(shè)計(jì)的一種低電壓低漏電二極管的制造方法，解決了低壓二極管芯片漏電流較大難以降低的問題。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種低電壓低漏電二極管的制造方法，所述低電壓低漏電二極管包括硅片，硅片為P型材料，區(qū)分正面，背面，正面經(jīng)過加工后表面淀積為多晶硅，同時(shí)刻蝕有隔離槽，在隔離槽內(nèi)部有光阻玻璃粉進(jìn)行填充，進(jìn)一步減少漏電；所述低電壓低漏電二極管的制造方法包括：硅片清洗、淀積多晶硅、有源區(qū)注入、再分布、隔離槽光刻、隔離槽刻蝕、光阻玻璃粉燒熔、二次光刻、硅片正面金屬化、反刻金屬、硅片背面清洗、硅片背面金屬化、劃片和芯片貯存；其具體實(shí)施步驟是：

步驟一：所述硅片清洗：采用化學(xué)反應(yīng)和熔洗的方法對硅片進(jìn)行清洗，獲得具有高潔凈度表面的硅片；

步驟二：所述淀積多晶硅：采用POLY工藝對經(jīng)步驟一處理后的硅片正面進(jìn)行多晶硅淀積；

步驟三：所述有源區(qū)注入：對經(jīng)步驟二處理后的硅片正面區(qū)域內(nèi)進(jìn)行離子注入，使單晶材料在限定的區(qū)域內(nèi)獲得規(guī)定的摻雜離子，形成有源區(qū)；

步驟四：所述再分布：經(jīng)步驟三處理后的硅片，在高溫干氧氛圍中，使有源區(qū)內(nèi)注入的摻雜離子向硅片內(nèi)部進(jìn)行擴(kuò)散分布，最終形成結(jié)深為2-3微米的有源區(qū)；

步驟五：所述隔離槽光刻：采用旋涂法在硅片正面涂一層光刻膠，使用隔離槽光刻板在硅片正面采取定域感光和掩蔽腐蝕的方法，在光刻膠薄膜上刻蝕出隔離環(huán)窗口；

步驟六：所述隔離槽刻蝕：步驟五之后，對硅片正面進(jìn)行刻蝕，形成深度為20微米的隔離槽；

步驟七：所述光阻玻璃粉燒熔：在完成步驟一至六后進(jìn)行光阻玻璃粉燒熔，燒熔后隔離槽內(nèi)被玻璃粉填充滿；

步驟八：所述二次光刻：步驟七之后，進(jìn)行二次光刻，采用旋涂法在硅片正面涂一層光刻膠，選擇二次光刻板，采取定域感光和掩蔽腐蝕的方法，在光刻膠上刻蝕出電極窗口；

步驟九：所述硅片正面金屬化：步驟八之后，采用蒸發(fā)工藝，在硅片正面形成金屬膜；

步驟十：所述反刻金屬：步驟九之后，采用旋涂法在硅片正面涂一層光刻膠，使用反刻金屬光刻板在硅片正面采取定域感光和掩蔽腐蝕的方法，在光刻膠薄膜上刻蝕出電極；

步驟十一：所述硅片背面清洗：步驟十之后，對硅片背面進(jìn)行化學(xué)清洗，獲得具有高潔凈度背面的硅片；

步驟十二：所述硅片背面金屬化：步驟十一之后，采用蒸發(fā)工藝，在硅片背面形成金屬膜；

步驟十三：所述劃片：步驟十二之后，采用金剛砂輪對硅片進(jìn)行切割，得到成品芯片。