[發明專利]陣列基板和顯示面板在審
| 申請號: | 202211599720.5 | 申請日: | 2022-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN116013932A | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發明(設計)人: | 郭升;趙占強;馬志麗;張小寶;張世強 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/12 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 劉欣 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
襯底;
在所述襯底上的掃描線,用于傳輸掃描信號;
數據線,與所述掃描線交叉并用于傳輸數據信號;
數據寫入晶體管,連接至所述掃描線和所述數據線;
驅動晶體管,連接至所述數據寫入晶體管;
第一走線段和第二走線段,所述第一走線段和所述第二走線段均位于有源層;所述數據寫入晶體管通過所述第一走線段與所述數據線連接,所述第二走線段與所述驅動晶體管的柵極連接;
至少一個絕緣層,所述至少一個絕緣層位于所述襯底上,所述至少一個絕緣層包括第一開口,所述第一開口在所述襯底的投影方向上位于所述第一走線段和所述第二走線段之間;
第三走線段,所述第三走線段與所述第一走線段位于不同層,至少部分所述第三走線段設置在所述第一開口內;且所述第三走線段接入電信號。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述至少一個絕緣層位于所述有源層上。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述電信號具有固定電位。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述掃描線包括沿第一方向延伸的第一掃描線和第二掃描線,所述第一開口為長條形并沿第二方向延伸,所述第一方向和所述第二方向交叉;所述第一開口位于所述第二掃描線和所述第一掃描線之間;所述第一走線段和所述第二走線段分別位于所述第一開口沿所述第一方向的兩側;
優選地,所述第一開口的寬度大于或等于1.5um;
優選地,所述第一開口與所述第一走線段之間的間隔距離大于或等于0.5um;所述第一開口與所述第二走線段之間的間隔距離大于或等于0.5um。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
柵極初始化晶體管,設置為響應于第一掃描線導通,將參考電壓傳輸至所述驅動晶體管的柵極;
其中,所述數據寫入晶體管,設置為響應于第二掃描線導通,將所述數據信號傳輸至所述驅動晶體管;
所述第一開口位于所述第二掃描線和所述第一掃描線之間。
6.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第三走線段由所述第一開口的底部和側壁延伸至所述第一開口的外緣;
所述第三走線段位于所述第一開口外緣的寬度大于或等于0.5um。
7.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
第四走線段,所述第四走線段位于所述有源層,且所述第四走線段位于所述第一走線段和所述第二走線段之間;所述第一開口延伸至所述第四走線段的上表面,所述第三走線段與所述第四走線段連接。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
第一導體層,所述驅動晶體管的柵極位于所述第一導體層;
所述至少一個絕緣層包括柵極絕緣層,所述柵極絕緣層位于所述有源層上,且所述驅動晶體管的柵極位于所述柵極絕緣層上,至少部分所述第一開口形成在所述柵極絕緣層中;
優選地,所述陣列基板還包括至少一個無機層,所述有源層位于所述至少一個無機層上;第二開口形成在所述至少一個無機層中,所述第一開口與所述第二開口連通,至少部分所述第三走線段還設置在所述第二開口內。
9.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
電源信號線,設置為提供電源信號;
其中,所述第三走線段接入所述電源信號。
10.根據權利要求9所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
第三導體層,所述電源信號線和所述第三走線段均位于所述第三導體層;且所述第三走線段為所述電源信號線的一部分。
11.根據權利要求10所述的陣列基板,至少部分所述第三導體層位于所述至少一個絕緣層上;所述電源信號線與所述數據線同層設置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于云谷(固安)科技有限公司,未經云谷(固安)科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211599720.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





