[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和晶圓表面沉積層的處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211599431.5 | 申請(qǐng)日： | 2022-12-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN116002610A | 公開（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周國安;羅大杰;馬琳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570 | 代理人： | 甄偉軍 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 表面 沉積 處理 方法 | ||
1.一種晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，所述方法包括：
將待處理晶圓移動(dòng)至處理設(shè)備；其中，所述待處理晶圓為加工有刻蝕槽，且所述刻蝕槽內(nèi)沉積層具有下凹缺陷的晶圓；
經(jīng)所述處理設(shè)備對(duì)所述刻蝕槽內(nèi)的沉積層進(jìn)行加熱重熔，使所述沉積層平坦化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，所述處理設(shè)備為激光退火設(shè)備；所述經(jīng)所述處理設(shè)備對(duì)所述刻蝕槽內(nèi)的沉積層進(jìn)行加熱重熔，包括：
控制所述激光退火設(shè)備發(fā)射激光束至所述待處理晶圓的目標(biāo)區(qū)域；其中，所述目標(biāo)區(qū)域?yàn)樗龃幚砭A的正面區(qū)域或所述刻蝕槽的內(nèi)部區(qū)域；
在所述目標(biāo)區(qū)域達(dá)到預(yù)設(shè)的目標(biāo)溫度時(shí)停止發(fā)射所述激光束；其中，所述目標(biāo)溫度為不低于所述沉積層熔點(diǎn)的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，所述處理設(shè)備為快速退火爐；所述經(jīng)所述處理設(shè)備對(duì)所述刻蝕槽內(nèi)的沉積層進(jìn)行加熱重熔，包括：
控制所述快速退火爐的蜂巢燈管在目標(biāo)功率下工作，使所述待處理晶圓的表面溫度以預(yù)設(shè)速率上升；
在所述表面溫度達(dá)到目標(biāo)溫度時(shí)，控制所述蜂巢燈管停止工作；其中，所述目標(biāo)溫度為不低于所述沉積層熔點(diǎn)的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，所述控制所述快速退火爐的蜂巢燈管在目標(biāo)功率下工作之前，所述方法還包括：
通入保護(hù)氣體至所述快速退火爐內(nèi)，并控制所述待處理晶圓以預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，
所述預(yù)設(shè)速率為100-200℃/s；
所述預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速為100-220RPM。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，所述在所述表面溫度達(dá)到目標(biāo)溫度之后，所述方法還包括：
控制所述快速退火爐在目標(biāo)狀態(tài)下工作5-10s后關(guān)閉所述蜂巢燈管；其中，所述目標(biāo)狀態(tài)為在所述快速退火爐保持所述表面溫度不低于所述目標(biāo)溫度的工作狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，所述控制所述蜂巢燈管停止工作之后，所述方法還包括：
控制所述快速退火爐以50-200℃/s進(jìn)行降溫。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，所述待處理晶圓為多片，所述處理設(shè)備為箱式電阻爐；所述經(jīng)所述處理設(shè)備對(duì)所述刻蝕槽內(nèi)的沉積層進(jìn)行加熱重熔，包括：
控制所述箱式電阻爐的電阻絲在額定功率下工作，以對(duì)所述箱式電阻爐的爐膛進(jìn)行加熱；
在所述爐膛達(dá)到目標(biāo)溫度后停止加熱，其中，所述目標(biāo)溫度為不低于所述沉積層熔點(diǎn)的溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面沉積層的處理方法，其特征在于，
當(dāng)所述沉積層為磷硅玻璃時(shí)，所述加熱重熔的目標(biāo)溫度為1100-1200℃；
當(dāng)所述沉積層為硼磷硅玻璃時(shí)，所述加熱重熔的目標(biāo)溫度為800-900℃。
10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，制備所述半導(dǎo)體器件時(shí)的沉積層經(jīng)權(quán)利要求1-9任一所述的方法進(jìn)行處理。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司，未經(jīng)賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211599431.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
