[發(fā)明專利]粉料、導電漿料及磁性器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211599131.7
• 申請日: 2022-12-12
• 公開（公告）號: CN115862923A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄒穎璇;聶敏;朱曉斌
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳順絡(luò)電子股份有限公司
• 主分類號: H01B1/02
• 分類號: H01B1/02;H01B1/22;H01B5/00
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44651
• 代理人: 王敏生

本申請?zhí)岢隽艘环N粉料、導電漿料及磁性器件。本申請在銀粉粒表面包覆一層具有非導電特性且厚度介于5nm～50nm的致密氧化物薄膜；應用于制備磁性器件的導電漿料時，銀粉粒和純銀粉相混合且兩者之間由于設(shè)置該致密氧化物薄膜，厚度較小的該非導電薄膜可以基于隧道效應使得銀粉粒和純銀粉之間電性導通而又會產(chǎn)生一定的阻值，因此可以調(diào)整最終形成的內(nèi)電極的電阻，從而可以調(diào)控產(chǎn)品RDC；并且，通過該致密氧化物薄膜可以隔絕燒結(jié)過程中銀粉粒與NiZnCu鐵氧體的直接接觸，可以降低內(nèi)電極和NiZnCu鐵氧體界面析出的Cu，從而緩解產(chǎn)品內(nèi)應力，有利于提升產(chǎn)品阻抗和強度。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種粉料、導電漿料及磁性器件。

背景技術(shù)

目前片式電感等磁性器件主要由內(nèi)電極形成的線圈、NiZnCu鐵氧體和外電極三部分組成。內(nèi)電極和鐵氧體需經(jīng)過共燒成為整體。為了防止共燒開裂，通常會在制造內(nèi)電極的導電漿料中添加一定比例的玻璃粉來調(diào)整銀漿和鐵氧體的收縮匹配性以使兩者結(jié)合更加緊密。然而這種方式容易帶來如下問題：一、降低了內(nèi)電極的電導率，使RDC(直流電阻)惡化；二、通過無機粘結(jié)劑使得內(nèi)電極和鐵氧體結(jié)合更緊密導致內(nèi)應力過大，而鐵氧體是應力敏感型材料，內(nèi)應力過大會導致電感量和阻抗降低，同時會導致產(chǎn)品抗彎強度不合格；三、無法改善、甚至加劇磁體材料的Cu析出，這會導致鐵氧體的實際組分偏離設(shè)計從而直接惡化產(chǎn)品的電磁性能，此外Cu析出后在鐵氧體和內(nèi)電極的界面與Ag離子生成更為致密的合金，從而大幅增加內(nèi)應力。

當前，業(yè)界有廠商提供了一種降低內(nèi)電極和鐵氧體共燒內(nèi)應力的方法，即通過長時間浸泡酸性絡(luò)合劑的方式去除在鐵氧體和內(nèi)電極的界面析出的Cu，以此使得內(nèi)電極和鐵氧體之間相對分離。這種方法雖然可以有效改善Cu析出并提升產(chǎn)品阻抗，但是在實際操作中又會存在如下問題：一、長時間浸泡絡(luò)合劑溶液以及后續(xù)的烘干均會延長產(chǎn)品的生產(chǎn)周期；二、浸泡后容易使得磁體的孔隙率過分增大，從而容易導致產(chǎn)品的強度下降。

由此可見，現(xiàn)有技術(shù)仍難以實現(xiàn)在調(diào)控產(chǎn)品RDC的同時降低內(nèi)電極和鐵氧體界面析出的Cu，緩解內(nèi)應力，從而提升阻抗和強度。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N粉料、導電漿料及磁性器件，既可以調(diào)控產(chǎn)品RDC，還可以降低內(nèi)電極和鐵氧體界面析出的Cu，緩解內(nèi)應力，從而提升阻抗和強度。

本申請?zhí)峁┑囊环N粉料，包括銀粉粒及包覆于所述銀粉粒表面的致密氧化物薄膜，所述致密氧化物薄膜具有非導電特性且厚度介于5nm～50nm。

可選地，所述致密氧化物薄膜的材料包括Al₂O₃、SiO₂、TiO₂、ZrO₂、ZnO、SnO₂中的至少一種。

可選地，所述致密氧化物薄膜采用原子沉積工藝包覆于所述銀粉粒表面。

可選地，所述原子沉積工藝滿足如下至少一特征：

包覆源包括三甲基鋁、二異丙基氨基硅烷、TiCl₄、AlCl₃、SnCl₄、Zr(NO₃)₄、Zn(ET)₂中的至少一種；

反應溫度介于230℃～280℃；

清洗氣體為惰性氣體；

氧源包括O₂、O₃或N₂O中的至少一種。

本申請?zhí)峁┑囊环N導電漿料，包括如上述任一項所述的粉料，純銀粉以及有機載體，所述有機載體包括溶劑和添加劑。

可選地，所述純銀粉的粒徑介于0.5μm～1.5μm，比表面積介于0.4～0.7m²/g，振實密度大于4g/ml。