[發(fā)明專利]憶阻器及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211596091.0
• 申請日: 2022-12-12
• 公開（公告）號: CN115884667A
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設計）人: 李京波;劉雪婷;霍能杰
• 申請（專利權）人: 浙江芯科半導體有限公司
• 主分類號: H10N70/20
• 分類號: H10N70/20
• 代理公司: 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260
• 代理人: 姚宇吉

1.一種憶阻器，其特征在于，包括：

襯底；

所述襯底表面具有第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極和第二金屬電極在同一直線上且相隔離；

所述第一金屬電極和第二金屬電極表面具有碲線，所述碲線表面具有氧化碲薄層，所述碲線將所述第一金屬電極和第二金屬電極相連接。

2.如權利要求1所述的一種憶阻器，其特征在于，所述第一金屬電極和第二金屬電極材料為惰性金屬電極。

3.如權利要求1所述的一種憶阻器，其特征在于，所述第一金屬電極和第二金屬電極材料為金。

4.如權利要求1所述的一種憶阻器，其特征在于，所述碲線的直徑范圍為0.1微米～2微米，所述氧化碲薄層的厚度范圍為1納米～5納米。

5.如權利要求1所述的一種憶阻器，其特征在于，所述憶阻器的設置電壓與恢復電壓均小于5V。

6.一種憶阻器的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底表面形成第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極和第二金屬電極在同一直線上且相隔離；

轉移所述碲線到所述第一金屬電極和第二電表面，所述碲線表面具有氧化碲薄層，所述碲線將所述第一金屬電極和第二金屬電極相連接。

7.如權利要求6所述的一種憶阻器的制備方法，其特征在于，所述第一金屬電極和第二金屬電極通過熱蒸鍍工藝進行制備。

8.如權利要求6所述的一種憶阻器的制備方法，其特征在于，所述碲線采用物理氣相沉積的方法制備，所述碲線的制備方法具體包括：取一定質量的碲粉平鋪于石英舟內；選用單拋氧化硅片，將所述單拋氧化硅片的二氧化硅面朝向石英舟，并覆蓋在石英舟上；將覆蓋有單拋氧化硅片的石英舟送入管式爐中，將管式爐內部抽為真空，再緩緩通入氫氣和氬氣的混合氣體，使得管式爐內部的壓強回到標準大氣壓；控制生長溫度和生長時間，進行碲線生長；碲線生長結束后，等待管式爐自然冷卻至室溫，再將單拋氧化硅片從管式爐中取出，此時的單拋氧化硅片上具有生長的碲線，最終完成碲線的生長，所述碲粉的質量范圍為200毫克～300毫克，碲粉的純度為99.99％；使用真空泵將管式爐內部抽為真空，然后向管式爐內通入H₂和Ar混合氣體，流速范圍為70～90標況毫升每分，所述碲線的生長溫度的范圍為510攝氏度～530攝氏度，所述碲線的生長時間的范圍為10分鐘～20分鐘。

9.如權利要求6所述的一種憶阻器的制備方法，其特征在于，所述碲線放置在空氣中1～7天，使得所述碲線表面形成氧化碲薄層。

10.如權利要求6所述的一種憶阻器的制備方法，其特征在于，所述氧化碲薄層的厚度范圍為1納米～5納米。