[發明專利]MoS2

在審

• 申請號: 202211596069.6
• 申請日: 2022-12-12
• 公開（公告）號: CN115881782A
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 李京波;楊亞妮;霍能杰
• 申請（專利權）人: 浙江芯科半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/24;H01L21/335;H01L29/772
• 代理公司: 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260
• 代理人: 朱林軍

1.一種MoS₂短溝道晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)準備氧化硅片，所述氧化硅片具有硅基襯底以及位于硅基襯底上方的二氧化硅層，通過光刻工藝和電子束蒸鍍方法在二氧化硅層上形成第一電極；

(2)將MoS₂薄膜轉移至二氧化硅層上且靠近所述第一電極，形成MoS₂層；

(3)通過光刻工藝和電子束蒸鍍方法在第一電極和MoS₂層上形成鈦層，所述鈦層具有位于所述第一電極和MoS₂層之間的填充部；

(4)加熱氧化，在鈦層表面形成氧化鈦層；

(5)通過光刻工藝和電子束蒸鍍方法在氧化鈦層和MoS₂層上形成第二電極。

2.如權利要求1所述的MoS₂短溝道晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，使用PDMS剝離得到MoS₂薄膜，然后將PDMS置于轉移平臺，調整好MoS₂薄膜的角度后將轉移平臺的加熱臺升溫到60℃，最后將MoS₂薄膜壓到第一電極附近，形成MoS₂層。

3.如權利要求1所述的MoS₂短溝道晶體管的制備方法，其特征在于，所述MoS₂層的厚度為1～40nm。

4.如權利要求1所述的MoS₂短溝道晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，將步驟(3)得到的器件的鈦層朝上，置于滑軌管式爐中，控制滑軌管式爐在15分鐘內升溫到300攝氏度，穩定的通入80sccm的氧氣，氧化鈦層1h，得到氧化鈦層。

5.如權利要求1所述的MoS₂短溝道晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材質均為金。

6.如權利要求5所述的MoS₂短溝道晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一電極和第二電極的厚度均為50nm。

7.如權利要求1所述的MoS₂短溝道晶體管的制備方法，其特征在于，所述鈦層位于第一電極上方部分的厚度為30nm。

8.一種MoS₂短溝道晶體管，其特征在于，包括：

氧化硅片，具有硅基襯底以及位于硅基襯底上方的二氧化硅層；

第一電極，位于所述二氧化硅層上；

MoS₂層，位于所述二氧化硅層上且靠近所述第一電極，第一電極和MoS₂層之間具有隔離空間；

鈦層，位于第一電極和MoS₂層的上方，且具有填充所述隔離空間的填充部；

氧化鈦層，位于所述鈦層的表面；

第二電極，位于所述氧化鈦層和MoS₂層的表面。

9.如權利要求8所述的MoS₂短溝道晶體管，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材質均為金。

10.如權利要求8所述的MoS₂短溝道晶體管，其特征在于，所述第一電極和第二電極的厚度均為50nm，所述鈦層位于第一電極上方部分的厚度為30nm，所述MoS₂層的厚度為1～40nm。