[發明專利]一種基于HSPICE和weibull函數的SRAM單粒子加固電路仿真方法在審
| 申請號： | 202211595320.7 | 申請日： | 2022-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN116167308A | 公開（公告）日： | 2023-05-26 |
| 發明（設計）人： | 劉紅俠;劉長俊;王樹龍;陳樹鵬 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | G06F30/33 | 分類號： | G06F30/33 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 勾慧敏 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 hspice weibull 函數 sram 粒子 加固 電路 仿真 方法 | ||
1.一種基于HSPICE和weibull函數的SRAM單粒子加固電路仿真方法，其特征在于，包括：
步驟1：構建SRAM加固單元的讀寫仿真電路結構，所述讀寫仿真電路結構包括SRAM加固單元以及兩個三態門，其中，所述兩個三態門的輸出端對應連接所述SRAM加固單元的第一位線和第二位線，所述SRAM加固單元的字線輸入外部字線控制電壓；
步驟2：通過控制所述三態門的輸出以及所述外部字線控制電壓，對所述SRAM加固單元進行讀操作和寫操作仿真驗證；
步驟3：獲取weibull函數電流源，根據所述weibull函數電流源以及所述讀寫仿真電路結構，對SRAM加固單元的進行單粒子效應仿真；
其中，利用weibull函數對單粒子效應數據擬合得到所述weibull函數電流源。
2.根據權利要求1所述的基于HSPICE和weibull函數的SRAM單粒子加固電路仿真方法，其特征在于，所述三態門用于產生高電平、低電平和高阻態三種控制信號。
3.根據權利要求1所述的基于HSPICE和weibull函數的SRAM單粒子加固電路仿真方法，其特征在于，所述步驟2包括：
步驟2.1：通過控制所述三態門的輸出以及所述外部字線控制電壓，對所述SRAM加固單元進行寫操作仿真驗證，包括：
控制所述外部字線控制電壓將所述字線置為高電平，控制所述三態門的輸出將所述第一位線和所述第二位線置為高低相反的兩個電平，觀測所述SRAM加固單元的第一存儲節點和第二存儲節點的電位變化，根據觀測結果判斷寫操作是否成功；
步驟2.2：通過控制所述三態門的輸出以及所述外部字線控制電壓，對所述SRAM加固單元進行讀操作仿真驗證，包括：
控制所述三態門的輸出將所述第一位線和所述第二位線均置為高電平后控制兩個三態門的輸出均為高阻態控制信號，控制所述外部字線控制電壓將所述字線置為高電平，觀測所述第一位線和所述第二位線的電位變化，根據觀測結果判斷讀操作是否成功。
4.根據權利要求1所述的基于HSPICE和weibull函數的SRAM單粒子加固電路仿真方法，其特征在于，在所述步驟3中，獲取weibull函數電流源，包括：
實驗仿真得到的所述單粒子效應數據；
對所述單粒子效應數據進行weibull函數擬合，得到所述weibull函數電流源，所述weibull函數電流源的擬合公式表示為：
其中，t表示時間變量，a表示第一擬合參數，b表示第二擬合參數、c表示第三擬合參數，其中，
式中，AP表示脈沖電流在0-tp時間內的積分，tp表示脈沖電流的峰值對應的時間，A表示電流脈沖與時間的積分，H表示脈沖電流的峰值。
5.根據權利要求1所述的基于HSPICE和weibull函數的SRAM單粒子加固電路仿真方法，其特征在于，在所述步驟3中，根據所述weibull函數電流源以及所述讀寫仿真電路結構，對SRAM加固單元的進行單粒子效應仿真，包括：
改變所述weibull函數電流源的能量，得到不同能量的weibull函數電流源；
利用HSPICE工具在所述讀寫仿真電路結構中的SRAM加固單元的所有敏感節點依次添加所述不同能量的weibull函數電流源；
驗證每個敏感節點在添加不同能量的weibull函數電流源的情況下是能否抵抗單粒子翻轉效應，實現對所述SRAM加固單元的單粒子效應仿真。
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