[發明專利]PNIPAM在制備具有對水和溫度響應性的高分辨率電子束抗蝕劑中的應用在審
| 申請號: | 202211593082.6 | 申請日: | 2022-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN115857276A | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 埃澤爾·馬丁·阿金諾古;許海勝;勞倫斯·德·哈恩;金名亮;王新;周國富 | 申請(專利權)人: | 肇慶市華師大光電產業研究院 |
| 主分類號: | G03F7/16 | 分類號: | G03F7/16;G03F7/09;G03F7/32;G03F7/038;G03F7/004 |
| 代理公司: | 廣州正明知識產權代理事務所(普通合伙) 44572 | 代理人: | 成姍 |
| 地址: | 526000 廣東省肇慶市高*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | pnipam 制備 具有 溫度 響應 高分辨率 電子束 抗蝕劑 中的 應用 | ||
1.PNIPAM在制備具有對水和溫度響應性的高分辨率電子束抗蝕劑中的應用。
2.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述PNIPAM是負性抗蝕劑。
3.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述應用具體包括以下步驟:
S1、在預處理好的基片上制備PNIPAM抗蝕劑涂層;
S2、設計微納米圖案,對步驟S1制備的樣品進行電子束曝光;
S3、對步驟S2所得樣品用顯影液顯影。
4.根據權利要求3所述的應用,其特征在于,步驟S1所述基片為導電襯底,包括硅片、金薄膜、ITO。
5.根據權利要求3所述的應用,其特征在于,步驟S1所述PNIPAM的分子量范圍為1000-10000。
6.根據權利要求3所述的應用,其特征在于,步驟S1中用水溶解PNIPAM。
7.根據權利要求3所述的應用,其特征在于,步驟S1所述PNIPAM抗蝕劑質量濃度為1%-100%。
8.根據權利要求3所述的應用,其特征在于,步驟S1所述PNIPAM抗蝕劑涂層的厚度為5nm-5000nm。
9.根據權利要求3所述的應用,其特征在于,步驟S2所述微納米圖案包括任意尺寸的點、線、面圖案。
10.根據權利要求3所述的應用,其特征在于,步驟S3所述顯影液為水。
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