[發(fā)明專利]一種自驅(qū)動偏振敏感探測器及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211581128.2
• 申請日: 2022-12-09
• 公開（公告）號: CN115763589A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李京波;卜娜布其;霍能杰
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江芯科半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/108;H01L31/18
• 代理公司: 杭州五洲普華專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33260
• 代理人: 徐晶晶

1.一種自驅(qū)動偏振敏感探測器，其特征在于，包括：

襯底；

InSe層和1T’-MoTe₂層，所述InSe層和1T’-MoTe₂層分別設(shè)置在所述襯底上并將部分1T’-MoTe₂層轉(zhuǎn)移至所述InSe層上，使得InSe層與1T’-MoTe₂層構(gòu)成異質(zhì)結(jié)；

第一電極及第二電極，所述InSe層上設(shè)有第一電極，所述1T’-MoTe₂層設(shè)有第二電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自驅(qū)動偏振敏感探測器，其特征在于，所述1T’-MoTe₂層包括第一部分和第二部分，通過干法轉(zhuǎn)移將所述第一部分轉(zhuǎn)移到所述InSe層上，將所述第二部分保留在所述襯底上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自驅(qū)動偏振敏感探測器，其特征在于，所述InSe層的厚度為20～30nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自驅(qū)動偏振敏感探測器，其特征在于，所述1T’-MoTe₂層的厚度為25～40nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自驅(qū)動偏振敏感探測器，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材料為金屬Cr/Au，金屬Cr/Au形成金屬Cr層和金屬Au層；

金屬Cr層厚度為5～10nm，金屬Au層厚度為40～50nm。

6.一種自驅(qū)動偏振敏感探測器制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上方分別生成InSe層和1T’-MoTe₂層，并將部分1T’-MoTe₂層轉(zhuǎn)移至所述InSe層上，使得InSe層與1T’-MoTe₂層構(gòu)成異質(zhì)結(jié)；

在所述InSe層上生成第一電極，在所述1T’-MoTe₂層生成第二電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自驅(qū)動偏振敏感探測器制備方法，其特征在于，在所述襯底上方生成InSe層，包括以下步驟：

生成InSe單晶膠帶；

將InSe單晶膠帶覆蓋于所述襯底的上表面，經(jīng)100℃溫度加熱20s，得到InSe層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自驅(qū)動偏振敏感探測器制備方法，其特征在于，生成1T’-MoTe₂層，并將部分1T’-MoTe₂層轉(zhuǎn)移至所述InSe層上，使得InSe層與1T’-MoTe₂層構(gòu)成異質(zhì)結(jié)，包括以下步驟：

生成1T’-MoTe₂單晶膠帶；

將1T’-MoTe₂單晶膠帶覆蓋于襯底上表面，得到1T’-MoTe₂層；

通過干法轉(zhuǎn)移將1T’-MoTe₂層的第一部分轉(zhuǎn)移至所述InSe層上，所述1T’-MoTe₂層的第二部分設(shè)置在所述襯底上，使得InSe層與1T’-MoTe₂層構(gòu)成異質(zhì)結(jié)，其中，所述1T’-MoTe₂層包括第一部分和第二部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自驅(qū)動偏振敏感探測器制備方法，其特征在于，所述在所述InSe層上生成第一電極，在所述1T’-MoTe₂層生成第二電極，包括以下步驟：

基于紫外光刻工藝在所述InSe層與1T’-MoTe₂層上分別刻蝕所需第一電極對應(yīng)的圖案和第二電極對應(yīng)的圖案；

通過電子束蒸發(fā)和熱蒸發(fā)工藝分別對第一電極及第二電極進行沉積，得到相應(yīng)高度的第一電極及第二電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種自驅(qū)動偏振敏感探測器制備方法，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材料為金屬Cr/Au，金屬Cr/Au形成金屬Cr層和金屬Au層；

金屬Cr層厚度為5～10nm，金屬Au層厚度為40～50nm。