[發(fā)明專利]修整工具和修整方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211577338.4
• 申請(qǐng)日: 2022-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN116237870A
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松澤稔;辻本浩平;藤井祐介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): B24B53/02
• 分類號(hào): B24B53/02;B24B41/06;B24B41/04
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;楊俊波

本發(fā)明提供修整工具和修整方法，該修整工具不僅能夠進(jìn)行磨削磨輪所包含的磨削磨具的下表面(磨削面)的修整，還能夠進(jìn)行其外側(cè)面的修整。將用于磨削磨具的下表面的修整的第1修整部和用于磨削磨具的外側(cè)面的修整的第2修整部中的一方設(shè)置成上表面比第1修整部和該第2修整部中的另一方的上表面低，并且外周端部被定位于比第1修整部和該第2修整部中的另一方的外周端部靠外側(cè)的位置。通過利用該修整工具，能夠不同時(shí)或同時(shí)進(jìn)行磨削磨具的下表面和外側(cè)面這兩者的修整。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于磨削磨輪所包含的磨削磨具的修整的修整工具以及利用該修整工具對(duì)磨削磨輪所包含的磨削磨具進(jìn)行修整的修整方法。

背景技術(shù)

IC(Integrated?Circuit：集成電路)等器件的芯片是在移動(dòng)電話和個(gè)人計(jì)算機(jī)等各種電子設(shè)備中不可或缺的結(jié)構(gòu)要素。這樣的芯片例如是通過將在正面?zhèn)刃纬捎卸鄠€(gè)器件的晶片按照包含各個(gè)器件的每個(gè)區(qū)域進(jìn)行分割而制造的。

此外，晶片以芯片的小型化和輕量化等為目的，大多在其分割前被薄化。作為使晶片薄化的方法，能夠舉出磨削裝置對(duì)晶片的背面?zhèn)鹊哪ハ鳌Ｔ撃ハ餮b置例如具有：卡盤工作臺(tái)，其對(duì)晶片的正面?zhèn)冗M(jìn)行保持；磨削單元，其設(shè)置于卡盤工作臺(tái)的上方，并且具有磨削磨輪安裝于下端部的主軸(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

磨削磨輪通常包含呈環(huán)狀分離地配置且分別具有長方體狀的形狀的多個(gè)磨削磨具。另外，磨削磨具具有分散在陶瓷結(jié)合劑或樹脂結(jié)合劑等結(jié)合材料中的金剛石或者立方晶氮化硼(cBN：cubic?Boron?Nitride)等磨粒。此外，在磨削磨輪中通常設(shè)置有用于提供純水等液體(磨削水)的磨削水提供噴嘴。

而且，在磨削裝置中對(duì)晶片進(jìn)行薄化時(shí)，在使卡盤工作臺(tái)和主軸這兩方進(jìn)行旋轉(zhuǎn)并且從磨削水提供噴嘴向晶片的背面提供磨削水的狀態(tài)下，使晶片的背面與多個(gè)磨削磨具各自的磨削面接觸。由此，能夠利用在多個(gè)磨削磨具各自的下表面(磨削面)露出的磨粒對(duì)晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削而使晶片薄化。

另外，在新品(未使用)的磨削磨具中，有時(shí)在其下表面露出的磨粒不充分。另外，在磨削磨輪中，還存在多個(gè)磨削磨具各自的下表面不整齊、即不位于同一平面上的情況。在這些情況下，晶片的磨削效率有可能降低。

因此，在磨削裝置中，在對(duì)晶片進(jìn)行磨削之前，大多進(jìn)行通過對(duì)多個(gè)磨削磨具各自的下表面?zhèn)冗M(jìn)行切削而使磨粒在下表面充分地露出并且使這些下表面整齊的處理(下表面修整)。這樣的磨削磨具的下表面修整例如是通過一邊使磨削磨輪進(jìn)行旋轉(zhuǎn)一邊使多個(gè)磨削磨具各自的下表面與修整工具(修整板)的修整部(修銳部)接觸來進(jìn)行的(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。

此外，如果通過晶片的磨削而產(chǎn)生的磨削屑附著于磨削磨具的下表面，則有時(shí)磨粒在磨削磨具的下表面未充分地露出(堵塞)。另外，還存在由于重復(fù)進(jìn)行磨削而使在下表面露出的磨粒磨損(鈍化)的情況。在這樣的情況下，有時(shí)也進(jìn)行磨削磨具的下表面修整。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2014-124690號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2009-142906號(hào)公報(bào)

磨削磨輪向磨削單元的主軸的安裝一般通過手工作業(yè)來進(jìn)行。因此，磨削磨輪有可能在磨削磨輪的中心從成為主軸的旋轉(zhuǎn)軸線的直線偏移的狀態(tài)下安裝于主軸。

如果在這樣的狀態(tài)使主軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，則有時(shí)主軸沿著與成為主軸的旋轉(zhuǎn)軸線的直線垂直的方向振動(dòng)。而且，如果在主軸振動(dòng)的狀態(tài)下利用與主軸一起進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的磨削磨輪的多個(gè)磨削磨具對(duì)晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削，則晶片的加工精度有可能降低。

例如，為了使晶片的外周端部殘留而抑制伴隨著該薄化的剛性的降低，有時(shí)以在晶片的背面形成凹部的方式對(duì)晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行磨削。這樣的磨削也被稱為TAIKO磨削，一邊使磨削磨具的外側(cè)面與晶片的外周端部接觸一邊進(jìn)行。

這里，如果在包含磨削磨具的磨削磨輪安裝于前端部的主軸振動(dòng)的狀態(tài)下進(jìn)行TAIKO磨削，則無法使殘留的晶片的外周端部成為期望的形狀，即晶片的加工精度降低，晶片容易破裂。