[發明專利]基板處理方法及利用PECVD的氮化硅膜沉積方法

在審

• 申請號: 202211570361.0
• 申請日: 2022-12-08
• 公開（公告）號: CN116334594A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 金宗煥
• 申請（專利權）人: TES股份有限公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/455;C23C16/34;C23C16/52
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張寧;劉芳

1.一種基板處理方法，是利用第一反應氣體及第二反應氣體在基板上形成薄膜的基板處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

將基板裝載到反應腔室內；

將第一反應氣體供給到所述反應腔室內；

為了分解所述第一反應氣體，在所述反應腔室內部開始等離子體放電；以及

在保持等離子體放電的狀態下，將第二反應氣體供給到所述反應腔室內并進行分解，以在所述基板上沉積薄膜。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第二反應氣體包含基板成分。

3.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第二反應氣體包含金屬、碳或硅。

4.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

供給所述第二反應氣體的步驟在開始等離子體放電之后10秒之內將所述第二反應氣體供給到所述反應腔室內。

5.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述沉積薄膜的步驟之后，進一步包括以下步驟：

中斷供給所述第二反應氣體；以及

中斷所述等離子體放電。

6.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述反應腔室內部使等離子體放電的步驟在供給所述第一反應氣體后經過10秒以上后執行。

7.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述基板處理方法在200℃以下的基板溫度下利用等離子體增強化學氣相沉積方法執行。

8.一種氮化硅膜沉積方法，是利用等離子體增強化學氣相沉積方法在基板上沉積氮化硅膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

將基板裝載到反應腔室內；

將氮前體氣體供給到所述反應腔室內；

在所述反應腔室內部開始等離子體放電；以及

在保持等離子體放電的狀態下，將硅前體氣體供給到所述反應腔室內，并通過由氮前體氣體及硅前體氣體的分解生成的自由基進行的化學反應在所述基板上沉積氮化硅膜。

9.根據權利要求8所述的氮化硅膜沉積方法，其特征在于，

供給所述硅前體氣體的步驟在開始等離子體放電之后10秒之內將所述硅前體氣體供給到所述反應腔室內。

10.根據權利要求8所述的氮化硅膜沉積方法，其特征在于，

在所述反應腔室內部使等離子體放電的步驟在供給所述氮前體氣體后經過10秒以上后執行。