[發(fā)明專利]一種光控電容型鐵電存儲(chǔ)器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211568188.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-12-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115589774B | 公開(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周久人;劉艷;劉寧;韓根全;郝躍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué)杭州研究院 |
| 主分類號(hào): | H10N97/00 | 分類號(hào): | H10N97/00;H10B53/30 |
| 代理公司: | 杭州匯和信專利代理有限公司 33475 | 代理人: | 吳琰 |
| 地址: | 311231 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光控 電容 型鐵電 存儲(chǔ)器 及其 制備 方法 | ||
1.一種光控電容型鐵電存儲(chǔ)器,其特征在于,包括自下而上依次設(shè)置的底電極(1)、半導(dǎo)體層(2)、鐵電介質(zhì)層(3)、頂電極(4);
所述半導(dǎo)體層(2)的耗盡層電容狀態(tài)代表了鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)信息;
所述頂電極(4)施加電壓,半導(dǎo)體層(2)中的載流子數(shù)量受光照調(diào)控與鐵電介質(zhì)層(3)中的極化電荷相互響應(yīng),并改變半導(dǎo)體層(2)的耗盡層電容狀態(tài);
所述半導(dǎo)體層(2)選用P型半導(dǎo)體時(shí),
當(dāng)向頂電極(4)施加正向電壓,在無光照情況下,半導(dǎo)體層(2)無法提供足夠多的載流子與鐵電介質(zhì)層內(nèi)的極化電荷響應(yīng),此時(shí)鐵電介質(zhì)層(3)中大部分的極化電荷不能發(fā)生翻轉(zhuǎn),極化狀態(tài)不發(fā)生改變;有光照情況下,半導(dǎo)體層(2)內(nèi)部載流子濃度會(huì)提升,半導(dǎo)體層(2)中的載流子與鐵電介質(zhì)層內(nèi)的極化電荷響應(yīng),極化電荷翻轉(zhuǎn),極化狀態(tài)發(fā)生改變,半導(dǎo)體層(2)的耗盡層電容呈低電容狀態(tài),此時(shí)光控電容型鐵電存儲(chǔ)器的邏輯狀態(tài)為“0”;
當(dāng)向頂電極(4)施加負(fù)向電壓,在有光照或無光照的情況下,半導(dǎo)體層(2)內(nèi)都具有足夠多的空穴與鐵電介質(zhì)層(3)內(nèi)部的極化電荷發(fā)生響應(yīng),極化電荷充分翻轉(zhuǎn),極化狀態(tài)發(fā)生充分改變,半導(dǎo)體層(2)的耗盡層電容呈高電容狀態(tài),此時(shí)光控電容型鐵電存儲(chǔ)器的邏輯狀態(tài)為“1”。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控電容型鐵電存儲(chǔ)器,其特征在于,所述底電極(1)和頂電極(4)的材料采用金屬鎢、金屬鈦、金屬銅、金屬鋁、金屬鉑、金屬銥、金屬釕、氮化鎢、氮化鈦、氮化鉭、氧化銥、氧化釕、碳化鎢、碳化鈦、硅化鎢、硅化鈦和硅化鉭中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控電容型鐵電存儲(chǔ)器,其特征在于,所述半導(dǎo)體層(2)采用 Si、Ge、SiGe、GaN、GaAs 和 SiC 中的任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光控電容型鐵電存儲(chǔ)器,其特征在于,所述鐵電介質(zhì)層(3)的材料采用Hf0.5Zr0.5O2、Hf0.3Zr0.7O2、HYO、HZO、HSO、HAO、BFO、PZT、BST、ZrO2、Al2O3、ZnSnO3中的任意一種。
5.一種基于權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的光控電容型鐵電存儲(chǔ)器的制備方法,其特征在于,包括如下具體步驟:
1)制作半導(dǎo)體層(2);
2)利用淀積工藝,在半導(dǎo)體層(2)上方淀積一層鐵電材料,形成鐵電介質(zhì)層(3);
3)利用濺射工藝或淀積工藝,在鐵電介質(zhì)層(3)上方生長一層電極材料,形成頂電極(4);
4)利用濺射工藝或淀積工藝,在半導(dǎo)體層(2)下方生長一層電極材料,形成底電極(1),完成光控電容型鐵電存儲(chǔ)器的制備。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種光控電容型鐵電存儲(chǔ)器的制備方法,其特征在于,步驟3)和步驟4)中所述的濺射工藝,是先對(duì)反應(yīng)腔體抽真空,直至反應(yīng)腔體中的真空壓強(qiáng)到達(dá)0.02托,再在濺射功率為350W、氬氣壓力為5毫托條件下進(jìn)行濺射形成頂電極(4)或底電極(1)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種光控電容型鐵電存儲(chǔ)器的制備方法,其特征在于,使用分子泵或冷泵對(duì)反應(yīng)腔體進(jìn)行抽真空。
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