[發(fā)明專利]一種激光調(diào)阻方法和裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211565851.1
• 申請日: 2022-12-07
• 公開（公告）號: CN115985609A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周峰;劉春雨;賀霖;張勝;孫明霞;宋宇;王凱
• 申請（專利權(quán)）人: 長春光華微電子設(shè)備工程中心有限公司
• 主分類號: H01C17/242
• 分類號: H01C17/242
• 代理公司: 北京睿馳通程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11604
• 代理人: 張文平

本申請?zhí)峁┝艘环N激光調(diào)阻方法和裝置。本申請?jiān)跓o人工干預(yù)的情況下，利用多次切工藝不僅能夠?qū)σ粔K待加工基板中的待調(diào)電阻進(jìn)行調(diào)阻，而且能夠?qū)ν慌a(chǎn)的所有待加工基板中的待調(diào)電阻進(jìn)行流水式的調(diào)阻，從而實(shí)現(xiàn)流水化作業(yè)。解決了單次切工藝對一些特殊的待調(diào)電阻進(jìn)行調(diào)阻時(shí)生產(chǎn)良率偏低的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種激光調(diào)阻方法和裝置。

背景技術(shù)

調(diào)阻，是利用激光對基板上的貼片電阻、無源電路、有源電路、合金電阻進(jìn)行調(diào)阻。即在實(shí)時(shí)測量電阻的同時(shí)，利用激光刻蝕改變電阻的截面積來增加電阻值的方式，使小于目標(biāo)電阻值的電阻達(dá)到目標(biāo)電阻值。

當(dāng)前，對基板上陣列式排列的待調(diào)電阻采用單次切工藝，進(jìn)行批量調(diào)阻。即在預(yù)設(shè)工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上，通過激光逐行對每個(gè)待調(diào)電阻刻蝕一次，達(dá)到目標(biāo)電阻值。

但是，單次切工藝對一些特殊的待調(diào)電阻進(jìn)行切割時(shí)，切割時(shí)間越長，切割的長度也越長，待調(diào)電阻的溫度就越高，當(dāng)超過臨界溫度時(shí)，待調(diào)電阻的電阻值將不可控，常常導(dǎo)致生產(chǎn)良率偏低。例如，對一些不同加工工藝的待調(diào)電阻，比如，高電阻值的電阻、低電阻值的電阻、小尺寸電阻、熱敏電阻、對激光(熱)敏感的電阻、對切割圖形敏感的電阻以及切割長度敏感的電阻。

因此，本申請?zhí)峁┝艘环N激光調(diào)阻方法，以解決上述技術(shù)問題之一。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的在于提供一種激光調(diào)阻方法和裝置，能夠解決上述提到的至少一個(gè)技術(shù)問題。具體方案如下：

根據(jù)本申請的具體實(shí)施方式，第一方面，本申請?zhí)峁┮环N激光調(diào)阻方法，包括：

利用單次切工藝對至少一個(gè)試調(diào)基板中的各個(gè)待調(diào)電阻分別進(jìn)行調(diào)阻，基于調(diào)阻后所述至少一個(gè)試調(diào)基板中的各個(gè)待調(diào)電阻的電阻值獲得所述至少一個(gè)試調(diào)基板的生產(chǎn)良率；

當(dāng)所述至少一個(gè)試調(diào)基板的生產(chǎn)良率低于預(yù)設(shè)良率閾值時(shí)，利用多次切工藝對待加工基板中的各個(gè)待調(diào)電阻分別進(jìn)行調(diào)阻，使所述待加工基板的生產(chǎn)良率大于或等于預(yù)設(shè)良率閾值，其中，所述待加工基板中的各個(gè)待調(diào)電阻均與所述至少一個(gè)試調(diào)基板中的各個(gè)待調(diào)電阻具有相同特性。

可選的，所述利用多次切工藝對待加工基板中的各個(gè)待調(diào)電阻分別進(jìn)行調(diào)阻，包括：

基于所述待加工基板中所有待調(diào)電阻共有的預(yù)設(shè)特性信息確定所述多次切工藝中各次切割工藝的切割參數(shù)值；

基于所述多次切工藝中各次切割工藝的切割參數(shù)值對所述待加工基板中的各個(gè)待調(diào)電阻分別進(jìn)行調(diào)阻。

可選的，所述基于所述待加工基板中所有待調(diào)電阻共有的預(yù)設(shè)特性信息確定所述多次切工藝中各次切割工藝的切割參數(shù)值，包括：

基于所述待加工基板中的待調(diào)電阻的預(yù)設(shè)特性信息確定所述多次切工藝中各次切割工藝的平衡系數(shù)值，其中，所述多次切工藝中所有切割工藝的平衡系數(shù)值的和等于1。

可選的，所述多次切工藝包括兩次切工藝，所述兩次切工藝包括第一次切割工藝和第二次切割工藝；

相應(yīng)地，所述基于所述多次切工藝中各次切割工藝的切割參數(shù)值對所述待加工基板中的各個(gè)待調(diào)電阻分別進(jìn)行調(diào)阻，包括：

基于所述第一次切割工藝的平衡系數(shù)值對預(yù)設(shè)目標(biāo)電阻值進(jìn)行分配，獲得所述第一次切割工藝的第一目標(biāo)電阻值；

在對所述待加工基板中的任一待調(diào)電阻執(zhí)行所述第一次切割工藝的過程中，實(shí)時(shí)測試所述任一待調(diào)電阻的第一電阻值；

當(dāng)所述任一待調(diào)電阻的第一電阻值等于所述第一目標(biāo)電阻值時(shí)，終止執(zhí)行所述第一次切割工藝；

當(dāng)測量所述任一待調(diào)電阻的溫度值低于預(yù)設(shè)冷卻溫度閾值時(shí)，對所述任一待調(diào)電阻執(zhí)行所述第二次切割工藝，且實(shí)時(shí)測試所述任一待調(diào)電阻的第二電阻值；