[發明專利]一種MoS2 在審
| 申請號： | 202211564826.1 | 申請日： | 2022-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN115991611A | 公開（公告）日： | 2023-04-21 |
| 發明（設計）人： | 姚秀敏;拜佳霖;劉學建;黃詩杰;黃政仁 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C04B41/85 | 分類號： | C04B41/85;C04B38/06;C04B35/593;C04B35/622;H05K9/00 |
| 代理公司： | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;鄭優麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mos base sub | ||
1.一種MoS2/Si3N4復合吸波陶瓷，其特征在于，包括：多孔氮化硅基體，以及原位生長在多孔氮化硅基體多孔結構中的由MoS2納米片組成的花瓣狀MoS2。
2.根據權利要求1所述的MoS2/Si3N4復合吸波陶瓷，其特征在于，所述花瓣狀MoS2質量為多孔氮化硅基體的2～20wt％。
3.根據權利要求1或2所述的MoS2/Si3N4復合吸波陶瓷，其特征在于，所述MoS2納米片的直徑為30～200nm，厚度為30～100nm；
所述花瓣狀MoS2的尺寸為150～300nm。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的MoS2/Si3N4復合吸波陶瓷，其特征在于，所述多孔氮化硅基體含有棒狀氮化硅晶粒，其孔隙率為45～70％，孔結構尺寸為5～50μm。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的MoS2/Si3N4復合吸波陶瓷，其特征在于，所述MoS2/Si3N4復合吸波陶瓷在8.2～12.4GHz之間的有效吸波頻帶為1.5～4.2GHz。
6.一種如權利要求1-5中任一項所述的MoS2/Si3N4復合吸波陶瓷的制備方法，其特征在于，包括：將多孔氮化硅基體真空浸漬在含有鉬酸鈉Na2MoO4·2H2O和硫代乙酰胺CH3CSNH2的混合溶液中，然后在160～220℃下水熱反應8～36小時，得到所述MoS2/Si3N4復合吸波陶瓷。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述含有鉬酸鈉Na2MoO4·2H2O和硫代乙酰胺CH3CSNH2的混合溶液的溶劑為去離子水；
所述去離子水在混合溶液中的質量分數為82～96％；
所述Na2MoO4·2H2O和硫代乙酰胺CH3CSNH2的的質量比1：(0.5～2)；
所述真空浸漬的時間為10～50分鐘。
8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述多孔氮化硅基體的制備方法包括：
(1)將Si3N4粉體、燒結助劑、造孔劑和溶劑進行混合，再經烘干和過篩，得到混合粉體；
(2)將混合粉體采用單軸干壓成型方式制備陶瓷生坯，再經脫粘和氣壓燒結，得到所述多孔氮化硅基體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所，未經中國科學院上海硅酸鹽研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211564826.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法
