[發明專利]一種集成式LED芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202211562926.0
• 申請日: 2022-12-07
• 公開（公告）號: CN115995460A
• 公開（公告）日: 2023-04-21
• 發明（設計）人: 王斌飛;劉林啟
• 申請（專利權）人: 王斌飛;劉林啟
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/62;H01L33/48;H01L33/00;H01L33/36;H01L21/683
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 霍苗

本發明涉及LED芯片技術領域，尤其涉及一種集成式LED芯片及其制備方法。本發明提供的集成式LED芯片，包括依次層疊設置的鑲嵌有LED發光單元的支撐襯底、帶有貫穿通孔的阻隔層和焊線電極；所述LED發光單元與焊線電極通過穿過所述貫穿通孔的金屬連接線連接；所述貫穿通孔位于所述LED發光單元的電極處；所述LED發光單元的個數＞1。本發明將LED芯片集成在一起之后，芯片面積增加，可以放得下測試電極，因此很好的解決了現有MicroLED沒有辦法實現單顆芯片測試和返修的問題。

技術領域

本發明涉及LED芯片技術領域，尤其涉及一種集成式LED芯片及其制備方法。

背景技術

發光二極管(LightEmittingDiode，LED)是一種可將電流轉換成特定波長范圍的光電半導體元件，其發光原理為電子在n型半導體與p型半導體間移動的能量差，以光的形式釋放能量，因此發光二極管被稱為冷光源，其具有低功耗、尺寸小、亮度高、易與集成電路匹配和可靠性高等優點，作為光源被廣泛應用。并且，隨著LED技術的成熟，直接利用LED作為自發光顯示點像素的LED顯示器或微型發光二極管(MicroLED)顯示器的技術也逐漸被廣泛應用。

MicroLED是指尺寸50μm的LED芯片，被認為是最有可能取代OLED，成為下一代LED顯示技術，由于其尺寸小，其間距可以作為P_0.5以下，廣泛應用于具有要求高亮度、超高解析度和高色彩飽和度的設備與場所。當前，通常通過轉移的方式把紅、綠、藍單色MicroLED轉移到布有線路基板上，外加驅動電流實現MicroLED芯片發光。雖然MicroLED有諸多優勢，但其仍有諸多技術難題，其中，最主要的就是由于MicroLED芯片面積太小，導致電極的面積也過小，沒有辦法實現單顆芯片測試及返修問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種集成式LED芯片及其制備方法，所述集成式LED芯片能夠解決現有MicroLED沒有辦法實現單顆芯片測試和返修的問題。

為了實現上述發明目的，本發明提供以下技術方案：

本發明提供了一種集成式LED芯片，包括依次層疊設置的鑲嵌有LED發光單元的支撐襯底、帶有貫穿通孔的阻隔層和焊線電極；

所述LED發光單元與焊線電極通過穿過所述貫穿通孔的金屬連接線連接；

所述貫穿通孔位于所述LED發光單元的電極處；

所述LED發光單元的個數＞1。

優選的，所述LED發光單元的上表面和阻隔層的下表面之間還包括擴展電極；

所述焊線電極貫穿所述阻隔層的貫穿通孔與所述擴展電極互連。

優選的，所述支撐襯底為≥1層的絕緣透明材料層。

優選的，所述LED發光單元包括3個子發光單元；

所述3個子發光單元分別為紅光子發光單元、綠光子發光單元和藍光子發光單元；

且所述紅光子發光單元、綠光子發光單元和藍光子發光單元的正負極位于水平方向上的同一側。

優選的，所述焊線電極包括4個焊線電極；

所述3個子發光單元的正極通過金屬連接線相互互連，同時與1個所述焊線電極互連，所述3個子發光單元的負極通過金屬連接線分別與另外3個所述焊線電極連接；

或所述3個子發光單元的負極通過金屬連接線相互互連，同時與1個所述焊線電極互連，所述3個子發光單元的正極通過金屬連接線分別與另外3個所述焊線電極連接。

優選的，所述擴展電極包括第一金屬連接線和連接電極；

所述連接電極與LED發光單元的電極通過所述第一金屬連接線連接。