[發(fā)明專利]基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211560693.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-12-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115880389A | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳亞南;廖意;王鵬;石國昌;都妍;米曉林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海無線電設(shè)備研究所 |
| 主分類號(hào): | G06T11/00 | 分類號(hào): | G06T11/00;G06F30/20 |
| 代理公司: | 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323 | 代理人: | 包姝晴;張雙紅 |
| 地址: | 201109 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 三維 模型 渦旋 電磁波 近場 目標(biāo) 散射 成像 仿真 方法 | ||
1.一種基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,包括:
步驟S1:確定多模態(tài)渦旋電磁波幅相分布特征調(diào)制機(jī)理;
步驟S2:基于調(diào)制機(jī)理分析典型目標(biāo)多模態(tài)渦旋電磁波近場散射特性;
步驟S3:根據(jù)近場散射特性分析結(jié)果建立多模態(tài)渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像模型,并通過渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像算法進(jìn)行目標(biāo)成像計(jì)算,以構(gòu)建目標(biāo)圖像。
2.如權(quán)利要求1所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,所述步驟S1包括:
基于均勻圓形陣列建立多模態(tài)渦旋電磁波產(chǎn)生模型;
基于所述多模態(tài)渦旋電磁波產(chǎn)生模型分析多模態(tài)渦旋電磁波幅相分布影響因素,所述影響因素至少包括陣元數(shù)、天線半徑、工作頻率和電磁渦旋模態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,所述步驟S1還包括:
根據(jù)所述工作頻率和所述天線半徑對(duì)所述多模態(tài)渦旋電磁波信號(hào)中的貝塞爾函數(shù)部分進(jìn)行計(jì)算,以確定多模態(tài)渦旋電磁波主波束指向優(yōu)化方法。
4.如權(quán)利要求3所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,所述步驟S1還包括:
獲取目標(biāo)尺寸和不同軌道角動(dòng)量模態(tài)的渦旋電磁波主瓣寬度;
根據(jù)所述目標(biāo)尺寸和所述渦旋電磁波主瓣寬度確定多模態(tài)渦旋電磁波主波束寬度影響參量與所述目標(biāo)尺寸的關(guān)聯(lián)關(guān)系。
5.如權(quán)利要求4所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,所述步驟S2包括:
獲取典型目標(biāo)尺寸;
根據(jù)所述典型目標(biāo)尺寸設(shè)計(jì)多模態(tài)渦旋電磁波成像參數(shù);
根據(jù)設(shè)計(jì)的多模態(tài)渦旋電磁波成像參數(shù)建立均勻圓形陣列電磁仿真模型和典型目標(biāo)電磁仿真模型,并計(jì)算多模態(tài)渦旋電磁波照射下典型目標(biāo)的近場散射回波信號(hào)。
6.如權(quán)利要求5所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,通過偶極子或者喇叭天線陣元構(gòu)建所述均勻圓形陣列電磁仿真模型;根據(jù)均勻圓形天線陣和典型目標(biāo)成像幾何位置建立所述典型目標(biāo)電磁仿真模型。
7.如權(quán)利要求6所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,采用多發(fā)多收方式接收信號(hào),并對(duì)若干個(gè)陣元中的第n個(gè)陣元的接收回波信號(hào)施加相移,將各陣元接收回波信號(hào)進(jìn)行相干疊加,以計(jì)算得到多模態(tài)渦旋電磁波照射下典型目標(biāo)的近場散射回波信號(hào)。
8.如權(quán)利要求7所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,所述步驟S3中根據(jù)近場散射特性分析結(jié)果建立多模態(tài)渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像模型,包括:
確定參考信號(hào)矩陣;
根據(jù)計(jì)算得到的典型目標(biāo)的近場散射回波信號(hào)和所述參考信號(hào)矩陣建立多模態(tài)渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像模型。
9.如權(quán)利要求8所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,采用正則化方法進(jìn)行渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像算法處理,以構(gòu)建所述目標(biāo)圖像。
10.如權(quán)利要求9所述的基于三維模型的渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像仿真方法,其特征在于,采用正則化方法進(jìn)行渦旋電磁波近場目標(biāo)散射成像算法處理之前,所述方法還包括確定成像平面,并將所述成像平面網(wǎng)格化,其中,頻率域信號(hào)采樣點(diǎn)數(shù)為FN,拓?fù)浜捎蛐盘?hào)采樣點(diǎn)數(shù)為LM,將所述成像平面網(wǎng)格化的步驟包括:
確定近場二維成像區(qū)域;
將所述近場二維成像區(qū)域劃分為Q個(gè)離散網(wǎng)格,所述Q=FN×LM。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海無線電設(shè)備研究所,未經(jīng)上海無線電設(shè)備研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211560693.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種三維彩色物品制作方法
- 三維內(nèi)容顯示的方法、裝置和系統(tǒng)
- 三維對(duì)象搜索方法、裝置及系統(tǒng)
- 三維會(huì)話數(shù)據(jù)展示方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)設(shè)備
- 一種三維模型處理方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 用于基于分布式賬本技術(shù)的三維打印的去中心化供應(yīng)鏈
- 標(biāo)記數(shù)據(jù)的獲取方法及裝置、訓(xùn)練方法及裝置、醫(yī)療設(shè)備
- 一種基于5G網(wǎng)絡(luò)的光場三維浸入式體驗(yàn)信息傳輸方法及系統(tǒng)
- 用于機(jī)器人生產(chǎn)系統(tǒng)仿真的三維場景管理與文件存儲(chǔ)方法
- 基于三維形狀知識(shí)圖譜的三維模型檢索方法及裝置





