[發明專利]一種散熱性能優越的芯片封裝結構及其封裝方法

在審

• 申請號: 202211555110.5
• 申請日: 2022-12-06
• 公開（公告）號: CN115881658A
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 李偉;劉衛東
• 申請（專利權）人: 華天科技（南京）有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 陳松

1.一種散熱性能優越的芯片封裝結構，其特征在于，包括：

基板；

芯片，所述芯片位于基板上且與基板電連接；

底部填充膠，所述底部填充膠位于基板上圍繞芯片的底部及側面填充；

散熱膠，所述散熱膠粘接在芯片上；

散熱銅柱，所述散熱銅柱粘接在散熱膠上；

電感元器件，所述電感元器件位于基板上且與基板電連接；

塑封體，所述塑封體位于基板上，將芯片、底部填充膠、散熱膠、散熱銅柱、電感元器件封裝在內部，其中散熱銅柱的頂部裸露到塑封體外；

附著層，所述附著層濺鍍在塑封體表面；

阻擋層，所述阻擋層濺鍍在附著層表面；

散熱黏著層，所述散熱黏著層濺鍍在阻擋層表面。

2.根據權利要求1所述的一種散熱性能優越的芯片封裝結構，其特征在于，所述基板內置有金屬焊盤，底部植有第一植球，所述第一植球與金屬焊盤導通。

3.根據權利要求2所述的一種散熱性能優越的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片底部植有第二植球，所述第二植球與金屬焊盤也導通。

4.根據權利要求2所述的一種散熱性能優越的芯片封裝結構，其特征在于，所述電感元器件通過導線與金屬焊盤接通。

5.根據權利要求1所述的一種散熱性能優越的芯片封裝結構，其特征在于，所述附著層采用Ti金屬。

6.根據權利要求1所述的一種散熱性能優越的芯片封裝結構，其特征在于，所述阻擋層采用NiV合金。

7.根據權利要求1所述的一種散熱性能優越的芯片封裝結構，其特征在于，所述散熱黏著層采用Cu金屬。

8.一種散熱性能優越的芯片封裝結構的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：將芯片用底部填充膠封裝在基板上，電感元器件用導線與基板導通；

步驟二：在芯片表面點上散熱膠，再將散熱銅柱粘接到散熱膠上；

步驟三：采用塑封體將芯片、底部填充膠、散熱膠、散熱銅柱、電感元器件進行封裝，封裝后對塑封體表面進行打磨，使得散熱銅柱的頂部裸露到塑封體外；

步驟四：在塑封體表面濺鍍一層Ti金屬層，作為附著層，再濺鍍一層NiV合金層，作為阻擋層，最后再濺鍍一層Cu金屬層作為散熱黏著層。

9.根據權利要求8所述的一種散熱性能優越的芯片封裝結構的封裝方法，其特征在于，所述步驟四濺鍍Ti金屬層前用離子清洗劑對塑封體表面進行清洗，增加塑封體表面的粗糙度。