[發明專利]一種用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構

在審

• 申請號: 202211545284.3
• 申請日: 2022-12-05
• 公開（公告）號: CN116043327A
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 劉鵬;徐文立;沈磊
• 申請（專利權）人: 寧波恒普真空科技股份有限公司
• 主分類號: C30B25/10
• 分類號: C30B25/10;C30B25/14;C23C16/46;C23C16/455
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 鄭粟文

1.一種用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構，其特征在于，包括進氣室、反應室和基座；所述進氣室底部設置有所述反應室，且所述進氣室與所述反應室相連通；所述基座位于所述反應室內下部，且所述基座位于所述進氣室正下方；所述基座頂部用于承托晶片；所述基座內設置有基座熱場，所述基座熱場用于對所述晶片加熱；所述反應室底部設置有排氣口；還包括頂端伸入所述基座的進氣管，所述進氣管的底端與一供氣機構相連通；所述基座的底部設置有出氣口。

2.根據權利要求1所述的用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構，其特征在于，所述進氣管包括橫向開口進氣管和縱向開口進氣管；所述橫向開口進氣管的頂端為封口設置，所述橫向開口進氣管的頂端側壁上設置有橫向開口；所述縱向開口進氣管的頂端為開口設置；所述橫向開口進氣管和所述縱向開口進氣管的底端與所述供氣機構相連通。

3.根據權利要求2所述的用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構，其特征在于，所述基座頂部設置有基板，所述基板用于承托所述晶片。

4.根據權利要求3所述的用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構，其特征在于，所述基座熱場包括發熱體，所述發熱體設置于所述基板下方。

5.根據權利要求4所述的用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構，其特征在于，所述發熱體通過石墨電極與石英固定板相連接，所述石英固定板設置于所述基座內底部；所述橫向開口進氣管和所述縱向開口進氣管均貫穿所述石英固定板。

6.根據權利要求5所述的用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構，其特征在于，所述橫向開口進氣管用于吹掃所述石墨電極與所述石英固定板的連接處，所述縱向開口進氣管用于吹掃所述發熱體。

7.根據權利要求1所述的用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構，其特征在于，所述基座底部設置有下轉臺，所述出氣口設置于所述下轉臺上。

8.根據權利要求7所述的用于延長氣相生長基座內熱場壽命的結構，其特征在于，所述下轉臺與一旋轉軸相連接，所述旋轉軸為空心軸，所述進氣管設置于所述旋轉軸內。