[發明專利]一種提高成膜質量的進氣結構

在審

• 申請號: 202211545180.2
• 申請日: 2022-12-05
• 公開（公告）號: CN115821376A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 劉鵬;徐文立;沈磊
• 申請（專利權）人: 寧波恒普真空科技股份有限公司
• 主分類號: C30B25/14
• 分類號: C30B25/14;C23C16/455
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 鄭粟文

1.一種提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，包括進氣室、反應室和基座；所述進氣室底部設置有所述反應室，且所述進氣室與所述反應室相連通；所述基座位于所述反應室內下部，且所述基座位于所述進氣室正下方；所述基座頂部用于承托晶片；所述基座內設置有基座熱場，所述基座熱場用于對所述晶片加熱；所述反應室底部設置有排氣口；所述反應室內設置有套筒，所述套筒與所述反應室的側壁之間設置有上部熱場；

所述進氣室內設置有多個保護氣體流道和多個反應氣體流道；所述多個保護氣體流道和所述多個反應氣體流道的進氣端均位于所述進氣室外側，所述多個保護氣體流道和所述多個反應氣體流道的出氣端均位于所述進氣室底部；且相鄰的所述反應氣體流道的出氣端被所述保護氣體流道的出氣端完全隔開。

2.根據權利要求1所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述進氣室內設置有多層石墨盤，每層所述石墨盤上方均設置有一石墨蓋板，每個所述石墨盤與其上方對應的所述石墨蓋板之間設置有一所述反應氣體流道；且每個所述反應氣體流道均通過一進氣導管連通至所述進氣室底部；

位于最上層的所述石墨蓋板與所述進氣室的內頂部之間以及每層所述石墨盤下方分別設置有一所述保護氣體流道。

3.根據權利要求2所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述進氣導管的頂部位于所述石墨盤和所述石墨蓋板之間，所述進氣導管的另一端延伸至所述進氣室底部。

4.根據權利要求3所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述進氣導管的頂部沿周向設置有向外延伸的橫向限位環，所述石墨盤上設置有的安裝孔，所述所述石墨蓋板上與所述橫向限位環相對應的設置有容納槽，所述容納槽的內尺寸大于所述橫向限位環的外尺寸。

5.根據權利要求4所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述橫向限位環周圍設置有一外調節環，所述外調節環的外尺寸小于所述容納槽的內尺寸。

6.根據權利要求5所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述外調節環采用高純石墨制作。

7.根據權利要求4所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述進氣導管的內壁頂端設置有第一調節槽，所述第一調節槽內設置有內調節環，所述內調節環中部沿軸向設置有通氣孔。

8.根據權利要求7所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述內調節環采用高純石墨制作。

9.根據權利要求4所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述進氣導管的內壁頂端設置有第二調節槽，所述第二調節槽內設置有調節管；所述調節管上部沿徑向設置有橫向通孔，所述調節管中部沿軸向設置有豎向通孔，所述豎向通孔的頂部與所述橫向通孔相連通。

10.根據權利要求2所述的提高成膜質量的進氣結構，其特征在于，所述進氣導管、所述石墨蓋板和所述石墨盤均采用石墨制作，且外表面設置有碳化硅涂層。