[發明專利]一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法

在審

• 申請號: 202211537876.0
• 申請日: 2022-12-01
• 公開（公告）號: CN115710687A
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發明（設計）人: 劉智博;朱杰志;呂圣詩
• 申請（專利權）人: 廣州智圣高分子材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/16
• 分類號: C23C14/16;C23C14/18
• 代理公司: 廣東省中源正拓專利代理事務所(普通合伙) 44748
• 代理人: 朱靖華

1.一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，所述制備方法包括以下操作步驟：

(1)對基體進行預處理，清洗基體；

(2)將基體放入真空室，關閉真空室大門，使用機械泵抽真空至真空度達到8Pa-10Pa；

(3)在機械泵抽真空的同時開始使用分子泵抽真空；

(4)將真空室溫度升溫，并繼續抽真空至真空度達到4.0×10^-3Pa；

(5)通入氬氣，并調節真空室內氣體壓強不變；

(6)打開電源，等待啟動正常后，將基體工位調整正確后，按梯度增加通入氮氣；

(7)經過一段濺射時間制膜后，關閉電源；

(8)在繼續抽真空的同時開始降溫至室溫，依次關閉分子泵和機械泵，打開真空室左后方的放氣閥放氣，通入外界空氣；

(9)打開真空室大門，取出基體，關閉總電源和冷卻水，完成一次制膜。

2.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步驟(1)中所述清洗方法為丙酮超聲清洗、酒精超聲清洗、去離子蒸餾水清洗中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步驟(3)中所述分子泵抽真空，抽真空至真空度達到5.0×10^-3Pa。

4.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步驟(4)中所述真空室溫度升溫至300℃。

5.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步驟(6)中所述氮氣流量呈梯度增加，按照如下程序設置：

0-11min，氮氣流量0.25sccm；11-21min，氮氣流量0.5sccm；21-30min，氮氣流量0.75sccm；30-38min，氮氣流量1sccm；38-45min，氮氣流量1.25sccm；45-51min，氮氣流量1.5sccm；51-56min，氮氣流量1.75sccm；56-60min，氮氣流量2sccm；60-64min，氮氣流量2.25sccm；64-69min，氮氣流量2.5sccm；69-75min，氮氣流量2.75sccm；75-82min，氮氣流量3sccm；82-90min，氮氣流量3.25sccm；90-99min，氮氣流量3.5sccm；99-109min，氮氣流量3.75sccm；109-120min，氮氣流量4sccm。

6.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步驟(5)中所述氬氣為純度99.999％，步驟(6)中所述氮氣為純度99.999％，氬氣流量為28sccm。

7.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步驟(7)中所述濺射時間為2h。

8.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，所述制備方法中濺射氣壓為0.94Pa，濺射功率為500W，濺射靶基距為80mm。

9.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，所述制備方法中基體為精拋光單晶Si或玻璃，靶材為Ti-Co-Cr合金。

10.根據權利要求1所述的一種氮氣反應濺射法制備CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，所述制備方法所制得的薄膜厚度為1.0-2.0μm。