[發(fā)明專利]一種功率半導(dǎo)體模塊結(jié)溫在線評估方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211536414.7 | 申請日: | 2022-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN115877162A | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 何鑫;李偉邦;董志意;花清源;胡小剛;王紅波 | 申請(專利權(quán))人: | 南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26;G01K7/01 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 211100 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 功率 半導(dǎo)體 模塊 在線 評估 方法 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種功率半導(dǎo)體模塊結(jié)溫在線評估方法及裝置,屬于電子器件電學(xué)和熱學(xué)測量技術(shù)領(lǐng)域,方法包括:記錄溫度傳感器處的瞬態(tài)溫升曲線;記錄芯片處的瞬態(tài)溫降曲線;將芯片處的瞬態(tài)溫降曲線轉(zhuǎn)化為芯片處的瞬態(tài)溫升曲線;根據(jù)芯片處的瞬態(tài)溫升曲線和溫度傳感器處的瞬態(tài)溫升曲線,計算芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻;根據(jù)預(yù)構(gòu)建的熱阻熱容網(wǎng)絡(luò)FOSTER模型,對芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻進(jìn)行擬合,以獲取芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻曲線;根據(jù)芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻曲線,計算芯片到溫度傳感器的脈沖熱阻;根據(jù)芯片到溫度傳感器的脈沖熱阻,計算功率半導(dǎo)體模塊的結(jié)溫。本發(fā)明通過芯片到溫度傳感器的脈沖熱阻,能夠計算功率半導(dǎo)體模塊的結(jié)溫。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體模塊結(jié)溫在線評估方法及裝置,屬于電子器件電學(xué)和熱學(xué)測量技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
功率半導(dǎo)體模塊的內(nèi)部溫度評估對其可靠性至關(guān)重要,結(jié)溫是指功率半導(dǎo)體模塊內(nèi)部芯片有源區(qū)溫度,一般是內(nèi)部溫度最高的點(diǎn),目前對于結(jié)溫的測量主要通過結(jié)殼熱阻進(jìn)行計算,即通過測量散熱外殼溫度結(jié)合結(jié)殼熱阻計算結(jié)溫,但是在實(shí)際應(yīng)用過程中,殼溫的測量較為困難。
部分功率半導(dǎo)體模塊在模塊內(nèi)部嵌入溫度傳感器(如熱敏電阻NTC),通過測量溫度傳感器溫度,簡潔評估結(jié)溫,但是傳感器溫度與結(jié)溫有較大差距,且在不同的應(yīng)用條件下,差距也不同,無法準(zhǔn)確評估結(jié)溫。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種功率半導(dǎo)體模塊結(jié)溫在線評估方法及裝置,通過芯片到溫度傳感器的脈沖熱阻,計算功率半導(dǎo)體模塊的結(jié)溫。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
第一方面,本發(fā)明提供一種功率半導(dǎo)體模塊結(jié)溫在線評估方法,包括:
將功率半導(dǎo)體模塊接通電源,使功率半導(dǎo)體模塊升溫,通過溫度采集設(shè)備,記錄溫度傳感器處的瞬態(tài)溫升曲線N(t);
將功率半導(dǎo)體模塊斷開電源,并通過液冷平臺,使功率半導(dǎo)體模塊由升溫轉(zhuǎn)換為降溫,通過溫度采集設(shè)備,記錄芯片處的瞬態(tài)溫降曲線b(t);
將芯片處的瞬態(tài)溫降曲線b(t)轉(zhuǎn)化為芯片處的瞬態(tài)溫升曲線a(t);
根據(jù)芯片處的瞬態(tài)溫升曲線a(t)和溫度傳感器處的瞬態(tài)溫升曲線N(t),計算芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻Zth;
根據(jù)預(yù)構(gòu)建的熱阻熱容網(wǎng)絡(luò)FOSTER模型,對芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻Zth進(jìn)行擬合,以獲取芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻曲線Zthj-N;
根據(jù)芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻曲線Zthj-N,計算芯片到溫度傳感器的脈沖熱阻Zthj-N(pulse);
根據(jù)芯片到溫度傳感器的脈沖熱阻Zthj-N(pulse),結(jié)合實(shí)際應(yīng)用中測得的溫度傳感器處的溫度,計算功率半導(dǎo)體模塊的結(jié)溫。
結(jié)合第一方面,進(jìn)一步的,將所述溫度傳感器替換為測溫二極管,以使采樣率達(dá)到1MHz。
結(jié)合第一方面,進(jìn)一步的,將功率半導(dǎo)體模塊斷開電源,并通過液冷平臺,使功率半導(dǎo)體模塊由升溫轉(zhuǎn)換為降溫的過程,所采用的時間小于10μs。
結(jié)合第一方面,進(jìn)一步的,將芯片處的瞬態(tài)溫降曲線b(t)轉(zhuǎn)化為芯片處的瞬態(tài)溫升曲線a(t)所采用的計算公式如公式(1)所示:
a(t)=deltaTjmax-b(t) (1)
公式(1)中,a(t)為芯片處的瞬態(tài)溫升曲線,b(t)為芯片處的瞬態(tài)溫降曲線,deltaTjmax為功率半導(dǎo)體模塊升溫時芯片的最高結(jié)溫升。
結(jié)合第一方面,進(jìn)一步的,根據(jù)芯片處的瞬態(tài)溫升曲線a(t)和溫度傳感器處的瞬態(tài)溫升曲線N(t),計算芯片到溫度傳感器的瞬態(tài)熱阻Zth所采用的計算公式如公式(2)所示:
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