[發(fā)明專利]鍺硅光電探測器

在審

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• 申請日: 2022-12-02
• 公開（公告）號: CN115832095A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設計）人: 婁雪勤;郝沁汾
• 申請（專利權）人: 無錫芯光互連技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L31/105
• 分類號: H01L31/105;H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍺硅光電探測器，包括自下而上依次堆疊的硅襯底層，二氧化硅埋氧層，波導層，鍺吸收層，其特征在于，所述波導層包括依次連接的第一波導區(qū)、第二波導區(qū)和第三波導區(qū)，所述第三波導區(qū)包括P型輕摻雜區(qū)和P型重摻雜區(qū)，所述P型重摻雜區(qū)位于鍺吸收層的兩側并相對于鍺吸收層對稱設置，所述鍺吸收層的上方設置有第一條形電極，使第一條形電極位于鍺吸收層在寬度方向上的中間并遠離所述第一波導區(qū)；所述P型重摻雜區(qū)的上方設置有第二條形電極，使第二條形電極位于P型重摻雜區(qū)在寬度方向上的中間并遠離所述第一波導區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于：所述第一條形電極靠近第一波導區(qū)的一端與鍺吸收層靠近第一波導區(qū)的一端之間的距離在鍺吸收層長度的30%-80%之間。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于：所述第二條形電極靠近第一波導區(qū)的一端與P型重摻雜區(qū)靠近第一波導區(qū)的一端之間的距離在鍺吸收層長度的30%-80%之間。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于：第一條形電極與第二條形電極在長度方向上的兩端分布對齊。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于：第二條形電極靠近第一波導區(qū)的一端與P型重摻雜區(qū)靠近第一波導區(qū)的一端之間的距離在鍺吸收層長度的40%-60%之間；第一條形電極靠近第一波導區(qū)的一端與鍺吸收層靠近第一波導區(qū)的一端之間的距離在鍺吸收層長度的40%-60%之間。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于：第二條形電極靠近第一波導區(qū)的一端與P型重摻雜區(qū)靠近第一波導區(qū)的一端之間的距離為鍺吸收層長度的50%；第一條形電極靠近第一波導區(qū)的一端與鍺吸收層靠近第一波導區(qū)的一端之間的距離為鍺吸收層長度的50%。

7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于： 第二波導區(qū)的一端的寬度與第一波導區(qū)端面的寬度相同并與第一波導區(qū)連接，另一端的寬度與鍺吸收層的寬度相同并與第三波導區(qū)連接。

8.根據(jù)權利要求7所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于：第二波導區(qū)為錐形。

9.根據(jù)權利要求8中任意一項所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于：所述第一波導區(qū)為矩形。

10.根據(jù)權利要求6中任意一項所述的一種鍺硅光電探測器，其特征在于：所述第三波導區(qū)為矩形。