[發明專利]一種晶圓位置檢測裝置及其方法、立式晶爐

在審

• 申請號: 202211535423.4
• 申請日: 2022-11-30
• 公開（公告）號: CN115752242A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 賀鵬;同嘉錫;郭超超
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: G01B11/00
• 分類號: G01B11/00;C30B15/20;C30B29/06;G01B11/27
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 李彥紅

本公開提供一種晶圓位置檢測裝置及其方法、立式晶爐，該晶圓位置檢測裝置包括用于設置在承載有被測晶圓的承載面的至少兩個感應器，至少兩個感應器沿著預定方向間隔地分布，且感應器被配置為承載面上的被測晶圓遮擋時會觸發第一信號，預定方向為：被測晶圓處于承載面上預定位置時，沿著被測晶圓的周向上第一邊緣線延伸的方向，且在從被測晶圓中心指向第一邊緣線的方向上，感應器與第一邊緣線之間具有預定距離，以使被測晶圓處于預定位置上時不會遮擋感應器。本公開實施例提供了一種晶圓位置檢測裝置及其方法、立式晶爐，其可對反應舟上放置的晶圓進行位置檢測，以防止晶圓位置偏移導致的碎片或滑落等問題。

技術領域

本發明涉及拉晶技術領域，尤其涉及一種晶圓位置檢測裝置及其方法、立式晶爐。

背景技術

單晶硅棒大部分采用Czochralski法，又或被稱之為直拉法制造生產，在單晶硅拉晶特性測試過程中，為保證單晶硅拉晶特性測試的準確性，對晶圓的測試條件提出更高的要求。為滿足更高的測試要求，需要將整張晶圓切成半張，并對其進行相應的熱處理。

在相關技術中，立式爐中只針對于整張晶圓進行設計，并沒有針對半張晶圓進行設計。整張晶圓在反應舟上的位置可固定，不會有所變動，在工藝過程中不需要觀察晶圓是否正常放置在反應舟上；但是，半張晶圓在放置過程中需要確認晶圓在反應舟上的位置，觀察晶圓是否完全放置在反應舟上。若半張晶圓的位置沒有放置正確，在后續的熱處理和移動過程中，可能會發生碎片或掉落，降低生產效率，甚至有可能使設備宕機。

發明內容

本公開實施例提供了一種晶圓位置檢測裝置及其方法、立式晶爐，其可對反應舟上放置的晶圓進行位置檢測，以防止晶圓位置偏移導致的碎片或滑落等問題。

本公開實施例所提供的技術方案如下：

第一方面，本公開實施例提供了一種晶圓位置檢測裝置，包括用于設置在承載有被測晶圓的承載面的至少兩個感應器，至少兩個所述感應器沿著預定方向間隔地分布，且所述感應器被配置為所述承載面上的所述被測晶圓遮擋時會觸發第一信號，所述預定方向為：所述被測晶圓處于所述承載面上預定位置時，沿著所述被測晶圓的周向上第一邊緣線延伸的方向，且在從所述被測晶圓中心指向所述第一邊緣線的方向上，所述感應器與所述第一邊緣線之間具有預定距離，以使所述被測晶圓處于所述預定位置上時不會遮擋所述感應器。

示例性的，所述被測晶圓的形狀為不完整的圓形，其包括不能構成圓形外輪廓的異形部分，所述第一邊緣線至少包括所述異形部分的邊緣線。

示例性的，所述被測晶圓為半圓狀時，所述異形部分的邊緣線為直線邊緣線。

示例性的，所述感應器包括光電傳感器，所述光電傳感器包括：

光發射器，用于朝向所述被測晶圓所在方向發射檢測光；

光接收器，用于當接收到經所述被測晶圓反射的檢測光時產生所述第一信號。

示例性的，還包括：處理器，所述處理器用于接收到任一所述感應器反饋的所述第一信號時，判斷該所述被測晶圓位置未處于所述預定位置上。

示例性的，所述處理器具體還用于當至少兩個所述感應器中的一個感應器反饋所述第一信號，另一個感應器未反饋所述第一信號時，判斷當前所述被測晶圓朝向反饋所述第一信號的感應器所在方向傾斜。

第二方面，本公開實施例提供一種立式晶爐，包括：

反應舟，所述反應舟包括用于承載被測晶圓的承載面；及

如上所述的晶圓位置檢測裝置，所述至少兩個感應器設置在所述承載面。

示例性的，所述承載面的下方對應所述感應器的位置設有鏤空孔，所述感應器安裝至所述鏤空孔的下方。

第三方面，本公開實施例提供了一種晶圓位置檢測方法，應用于如上所述的晶圓位置檢測裝置，所述方法包括如下步驟：