[發(fā)明專利]傳感器、磁場位置測(cè)量系統(tǒng)和用于確定位置的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211534704.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116263316A | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬蒂亞斯·尼瑟默;烏爾里克·里特爾;克里斯托夫·博肯霍夫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 巴魯夫公司 |
| 主分類號(hào): | G01B7/00 | 分類號(hào): | G01B7/00;G01B7/02;G01B11/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;吳啟超 |
| 地址: | 德國諾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感器 磁場 位置 測(cè)量 系統(tǒng) 用于 確定 方法 | ||
1.一種用于磁場位置測(cè)量系統(tǒng)的傳感器(10),其具有至少一個(gè)透明基板(11),所述至少一個(gè)透明基板具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相反的第二側(cè),其中使用空間分辨率的至少一個(gè)光電傳感器(12)布置在所述第二側(cè)上,至少一個(gè)光源(13a-13h)布置在至少一個(gè)側(cè)上,并且具有晶格缺陷的金剛石(14)布置在所述基板(11)與所述光電傳感器(12)之間并且/或者具有晶格缺陷的金剛石(14)布置在所述基板(11)中并且/或者所述基板(11)是具有晶格缺陷的金剛石。
2.如權(quán)利要求1所述的傳感器(10),其特征在于,所述晶格缺陷是NV缺陷。
3.如權(quán)利要求1或2所述的傳感器(10),其特征在于,所述光源(13a-13h)布置在所述基板(11)的至少一個(gè)第三側(cè)上。
4.如權(quán)利要求3所述的傳感器(10),其特征在于,至少一個(gè)光源(13a-13h)布置在每個(gè)第三側(cè)上。
5.如權(quán)利要求3或4所述的傳感器(10),其特征在于,光學(xué)反射層(15)布置在所述第一側(cè)上。
6.如權(quán)利要求5所述的傳感器(10),其特征在于,所述反射層(15)是所述傳感器(10)的外殼的一側(cè)。
7.如權(quán)利要求5或6所述的傳感器(10),其特征在于,所述光源(13a-13h)的照射方向在所述第一側(cè)的方向上成角度。
8.如權(quán)利要求5至7中的一項(xiàng)所述的傳感器(10),其特征在于,彩色濾光片(16)布置在所述基板(10)與所述光電傳感器(12)之間。
9.如權(quán)利要求3至8中的一項(xiàng)所述的傳感器(10),其特征在于,氣隙(17)布置在所述基板(10)與所述光電傳感器(12)之間。
10.如權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)所述的傳感器(10),其特征在于,磁場發(fā)生器(50)布置在所述基板(11)周圍。
11.如權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)所述的傳感器(10),其特征在于,所述光電傳感器(12)具有至少一個(gè)傳感器元件,所述傳感器元件選自以下系列:至少8個(gè)光電二極管、一個(gè)PSD(121)、一個(gè)CCD相機(jī)和一個(gè)CMOS相機(jī)。
12.如權(quán)利要求11所述的傳感器(10),其特征在于,所述光電傳感器(12)具有傳感器元件,所述傳感器元件被配備為提供彼此具有不是0°、180°或360°的相移的第一輸出信號(hào)(Ia)和第二輸出信號(hào)(Ib)中的每一者。
13.如權(quán)利要求11所述的傳感器(10),其特征在于,所述光電傳感器(12)具有若干靈敏軸。
14.如權(quán)利要求13所述的傳感器(10),其特征在于,所述光電傳感器(12)具有兩個(gè)傳感器元件,所述兩個(gè)傳感器元件被配備為提供彼此相移180°的第一輸出信號(hào)(Ia)和第二輸出信號(hào)(Ib)中的每一者,其中所述兩個(gè)第一輸出信號(hào)(Ia)彼此具有不是0°、180°或360°的相移,其中所述傳感器元件形成所述光電傳感器(12)的兩個(gè)平行靈敏軸。
15.如權(quán)利要求13或14所述的傳感器(10),其特征在于,所述光電傳感器(12)的所述兩個(gè)靈敏軸彼此正交布置。
16.一種磁場位置測(cè)量系統(tǒng),其具有如權(quán)利要求1至15中的一項(xiàng)所述的傳感器(10)。
17.如權(quán)利要求16所述的磁場位置測(cè)量系統(tǒng),其特征在于,所述磁場位置測(cè)量系統(tǒng)具有隨著改變的極性磁化、面向所述傳感器(10)的第一側(cè)的測(cè)量體(20)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于巴魯夫公司,未經(jīng)巴魯夫公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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