[發明專利]光伏器件在審
| 申請號: | 202211528841.0 | 申請日: | 2022-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN115863449A | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 梅芳;王大鵬;齊鵬飛 | 申請(專利權)人: | 宸亞(蘭考縣)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 北京云嘉湃富知識產權代理有限公司 11678 | 代理人: | 劉新桐 |
| 地址: | 475399 河南省開封市蘭考*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 | ||
1.一種光伏器件,其特征在于,包括:
層疊設置的層板(10)、透光導電層(20)、HRT緩沖層(30)、窗口層(40)、吸收層(60)以及背接觸層(80),其中,所述HRT緩沖層(30)包括:n層子HRT緩沖層(31),n≥2,第n層所述子HRT緩沖層(31)位于第n-1層所述子HRT緩沖層(31)與所述窗口層(40)之間,后一層所述子HRT緩沖層(31)的電阻高于前一層所述子HRT緩沖層(31)的電阻。
2.根據權利要求1所述的光伏器件,其特征在于,各所述子HRT緩沖層(31)的材料獨立地包括氧化物、氮化物、碳化物、金剛石晶格碳中的一種或多種。
3.根據權利要求2所述的光伏器件,其特征在于,各所述子HRT緩沖層(31)的材料獨立地包括Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO、ZnO、MgO、CdO、TeO2、WO2、MoO2、Ta2O5、Ga2O3、SiC、SiN、AlN、C中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述HRT緩沖層(30)的厚度在10至1000nm之間。
5.根據權利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述光伏器件還包括:
界面緩沖層(50),所述界面緩沖層(50)位于所述窗口層(40)與所述吸收層(60)之間,所述界面緩沖層(50)的材料的晶格長度在所述窗口層(40)的材料的晶格長度與所述吸收層(60)的材料的晶格長度之間。
6.根據權利要求5所述的光伏器件,其特征在于,所述界面緩沖層(50)的材料獨立地包括氧化物、氮化物、碳化物、金剛石晶格碳中的一種或多種。
7.根據權利要求5所述的光伏器件,其特征在于,所述界面緩沖層(50)的材料獨立地包括Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO、ZnO、MgO、CdO、TeO2、WO2、MoO2、Ta2O5、Ga2O3、SiC、SiN、AlN、C中的一種或多種。
8.根據權利要求5所述的光伏器件,其特征在于,所述界面緩沖層(50)的厚度在1至1000nm之間。
9.根據權利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述光伏器件還包括:
背接觸緩沖層(70),所述背接觸緩沖層(70)為高電阻率透明層,所述背接觸緩沖層(70)位于所述吸收層(60)與所述背接觸層(80)之間。
10.根據權利要求9所述的光伏器件,其特征在于,所述背接觸緩沖層(70)包括m層子背接觸緩沖層,m≥2,第m層所述子背接觸緩沖層位于第m-1層所述子背接觸緩沖層與所述背接觸層(80)之間,后一層所述子背接觸緩沖層的電阻高于前一層所述子背接觸緩沖層的電阻。
11.根據權利要求9或10所述的光伏器件,其特征在于,在所述背接觸緩沖層(70)為單層的情況下,所述背接觸緩沖層(70)的材料獨立地包括氧化物、氮化物、碳化物、金剛石晶格碳中的一種或多種;在所述背接觸緩沖層(70)包括多層子背接觸緩沖層的情況下,各所述子背接觸緩沖層的材料獨立地包括氧化物、氮化物、碳化物、金剛石晶格碳中的一種或多種中的一種或多種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





