[發明專利]壓模治具及固晶工藝在審
| 申請號: | 202211526087.7 | 申請日: | 2022-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN115714091A | 公開(公告)日: | 2023-02-24 |
| 發明(設計)人: | 蘇樺軍;韓致峰;蘇凱琳 | 申請(專利權)人: | 深圳市樺灃實業有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳維啟專利代理有限公司 44827 | 代理人: | 牟建鑫 |
| 地址: | 518100 廣東省深圳市寶安區石巖街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓模治具 工藝 | ||
1.一種壓模治具,其特征在于,包括:
夾持座(1),用于外界執行機構夾持;
壓模座(2),所述壓模座(2)的一端連接所述夾持座(1),相對遠離所述夾持座(1)的另一端開設有圖形槽(20),所述圖形槽(20)的底面內由內向外依次設置有環形的第一成型部(21)及第二成型部(22),所述第二成型部(22)沿第一方向的厚度小于所述第一成型部(21)沿所述第一方向的厚度。
2.根據權利要求1所述的壓模治具,其特征在于,所述第一成型部(21)在所述第一方向上的厚度由內向外逐漸降低。
3.根據權利要求2所述的壓模治具,其特征在于,所述第一成型部(21)在所述第一方向上的厚度變化率由內向外逐漸增加。
4.根據權利要求1所述的壓模治具,其特征在于,所述圖形槽(20)的底面還設置有第三成型部(23),所述第三成型部(23)環繞所述第二成型部(22)設置,所述第二成型部(22)沿所述第一方向的厚度小于所述第三成型部(23)沿所述第一方向的厚度。
5.根據權利要求1所述的壓模治具,其特征在于,所述第一成型部(21)被配置為矩形結構,所述第二成型部(22)被配置為矩形環結構。
6.根據權利要求1所述的壓模治具,其特征在于,所述壓模座(2)相對遠離所述夾持座(1)的一端還設置有與所述圖形槽(20)連通的緩流槽(24),所述緩流槽(24)環繞所述圖形槽(20)外側設置。
7.根據權利要求1所述的壓模治具,其特征在于,所述壓模座(2)上還設置有若干導流槽(25),所述導流槽(25)的兩端分別連通所述圖形槽(20)及所述緩流槽(24)。
8.根據權利要求1所述的壓模治具,其特征在于,所述夾持座(1)相對遠離壓模座(2)的一側設置有球形的夾持槽(11),所述執行機構通過所述夾持槽(11)可轉動地連接所述壓模治具。
9.一種固晶工藝,其特征在于,包括步驟:
提供基板(300);
在所述基板(300)的表面上加熱焊料至熔融態;
壓制所述焊料以在所述基板(300)的表面形成略帶弧度的第一連接面;
所述第一連接面在表面張力作用下形成平整的第二連接面,基于所述第二連接面連接所述基板(300)及電子元件。
10.一種電路結構,包括基板(300)及電子元件,其特征在于,所述電路結構由權利要求9所述的方法獲得。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





