[發明專利]垂直腔面發射激光器有效
| 申請號： | 202211524357.0 | 申請日： | 2022-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN115548876B | 公開（公告）日： | 2023-03-07 |
| 發明（設計）人： | 李齊柱;張艷春;楊國文 | 申請（專利權）人： | 度亙激光技術（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王雪莎 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市自由貿易試驗*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直 發射 激光器 | ||
1. 一種垂直腔面發射激光器，其特征在于，包括：有源區結構（3）以及位于有源區結構（3）相對兩側的材料為AlxGa(1-x)As/ AlyGa(1-y)As的N-DBR（1）和AlmGa(1-m)As/AlnGa(1-n)As的P-DBR（5）；所述有源區結構（3）包括發光單元，所述發光單元包括材料為InAs的量子點（31）和材料為IneGa(1-e)As/InfGa(1-f)As的短周期超晶格層（32），所述量子點（31）的上側和/或下側設置有所述短周期超晶格層（32），其中，x、y、m、n、e和f均為組分系數；
所述短周期超晶格層（32）包括d個周期的IneGa(1-e)As/InfGa(1-f)As；所述d的取值范圍為5-10。
2.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，位于P-DBR（5）與所述量子點（31）之間的短周期超晶格層（32）的周期數多于位于N-DBR（1）和所述量子點（31）之間的短周期超晶格層（32）的周期數。
3.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述發光單元的數量為多個。
4.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述e的取值范圍為0.1-0.4；所述f的取值范圍為0.2-0.5。
5.根據權利要求3所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，多個所述發光單元中，至少存在兩個發光單元的量子點（31）的厚度不同，且量子點（31）的厚度不同的兩個所述發光單元中的同側的短周期超晶格層（32）的周期數不同。
6.根據權利要求5所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，至少存在一個發光單元，該發光單元的量子點（31）的厚度的取值范圍為2.65-2.74MLs，短周期超晶格層（32）設置6個周期，以發出波長為1270-1350nm的激光；
和/或，至少存在一個發光單元，該發光單元的量子點（31）的厚度的取值范圍為2.7-2.84MLs，短周期超晶格層（32）設置8個周期，以發出波長為1390-1470nm的激光；
和/或，至少存在一個發光單元，該發光單元的量子點（31）的厚度的取值范圍為2.8-2.94MLs，短周期超晶格層（32）設置10個周期，以發出波長為1500-1580nm的激光。
7.根據權利要求3所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述發光單元還包括緩沖層（33），所述緩沖層（33）的材料為IngGa1-gAs，所述緩沖層（33）設置于其中一個所述短周期超晶格層（32）背向量子點（31）的一側；
多個所述發光單元中，至少存在兩個發光單元的緩沖層（33）的In和Ga的組分配比不同。
8.根據權利要求7所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，至少存在一個發光單元，該發光單元的緩沖層（33）中g的取值范圍為：0≤g≤0.05，以發出波長為1270-1350nm的激光；
和/或，至少存在一個發光單元，該發光單元的緩沖層（33）中g的取值范圍為：0.1＜g≤0.25，以發出波長為1510-1590nm的激光。
9.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述N-DBR（1）的周期數為a，a的取值范圍為25-50；x的取值范圍為0-0.2；y的取值范圍為0.8-0.95；
所述P-DBR（5）的周期數為b，b的取值范圍為10-20；m的取值范圍為0-0.2；n的取值范圍為0.8-0.95。
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