[發(fā)明專利]一種精細(xì)掩膜版

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211523980.4
• 申請日: 2022-11-30
• 公開（公告）號: CN115896690A
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉文祺;王偉杰;張粲;孫中元;焦志強
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;H10K71/16;H10K50/10;C23C14/24;C23C14/10;C23C14/06
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 景廈

1.一種精細(xì)掩膜版，包括本體，所述本體上設(shè)有掩模圖形；其特征在于，所述本體包括：

硅基襯底；

位于所述硅基襯底之上的無機膜層，所述無機膜層具有壓應(yīng)力；及

位于所述硅基襯底之上的應(yīng)力調(diào)整層，所述應(yīng)力調(diào)整層具有張應(yīng)力，所述張應(yīng)力與所述壓應(yīng)力的應(yīng)力性質(zhì)相反且相互抵消。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述本體包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述無機膜層在所述第一區(qū)域的壓應(yīng)力大于在所述第二區(qū)域的壓應(yīng)力，所述應(yīng)力調(diào)整層在所述第一區(qū)域的張應(yīng)力大與在所述第二區(qū)域的張應(yīng)力。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述本體包括中間區(qū)域和位于所述中間區(qū)域外圍的外圍區(qū)域，所述掩模圖形設(shè)置在所述中間區(qū)域，且所述外圍區(qū)域包括中部位置、及位于所述中部位置和所述外圍區(qū)域之間的邊緣位置，所述第一區(qū)域包括所述中部位置，所述第二區(qū)域包括所述邊緣位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，沿著從所述中部位置指向所述邊緣位置的方向，所述無機膜層的壓應(yīng)力逐漸增大，所述應(yīng)力調(diào)整層的張應(yīng)力逐漸減大。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述應(yīng)力調(diào)整層的張應(yīng)力與其膜層厚度之間呈正性關(guān)系，所述應(yīng)力調(diào)整層在所述第一區(qū)域處的膜層厚度大于在所述第二區(qū)域處的膜層厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述應(yīng)力調(diào)整層包括氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和碳氮化硅薄膜中至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述應(yīng)力調(diào)整層的張應(yīng)力與其材料的元素比例呈預(yù)定關(guān)系，所述應(yīng)力調(diào)整層的材料在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的元素比例不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述應(yīng)力調(diào)整層包括碳氮化硅薄膜，所述碳氮化硅薄膜的張應(yīng)力與碳硅比相關(guān)，其中所述碳氮化硅薄膜的碳硅比在預(yù)定閾值內(nèi)，所述碳氮化硅薄膜在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的材料碳硅比不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述預(yù)定閾值為大于或等于0.45且小于或等于0.6。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述無機膜層包括至少一層氧化硅和/或至少一層氮化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述硅基襯底包括相背的第一側(cè)和第二側(cè)，至少一層所述無機膜層和至少一層應(yīng)力調(diào)整層堆疊至所述第一側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，在所述第一側(cè)，

所述應(yīng)力調(diào)整層堆疊至所述無機膜層的背離所述硅基襯底的一側(cè)；或者

所述應(yīng)力調(diào)整層堆疊至所述無機膜層的靠近所述硅基襯底的一側(cè)；或者

所述無機膜層有多層時，所述應(yīng)力調(diào)整層堆疊至所述無機膜層中任意相鄰兩層之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述硅基襯底的所述第二側(cè)還堆疊有至少一層所述無機膜層。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，所述硅基襯底包括從所述第二側(cè)至所述第一側(cè)依次層疊設(shè)置的第一硅層、至少一層無機層和第二硅層，所述第一硅層的膜層厚度大于所述第二硅層的膜層厚度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的精細(xì)掩膜版，其特征在于，

所述本體包括中間區(qū)域和位于所述中間區(qū)域外圍的外圍區(qū)域；

所述第一硅層及堆疊至所述第二側(cè)的所述無機膜層在對應(yīng)所述中間區(qū)域的位置設(shè)開口圖案；

所述無機層、所述第二硅層及堆疊至所述第一側(cè)的所述無機膜層和所述應(yīng)力調(diào)整層在對應(yīng)所述中間區(qū)域的位置設(shè)有所述掩模圖形。