[發(fā)明專利]層疊體的制造方法及層疊體

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• 申請日: 2022-11-30
• 公開（公告）號: CN116300306A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金泰完;李乾坤;崔石榮;李亨周;金修衒;孫晟熏;金星潤;鄭珉交;曹河鉉;申仁均
• 申請（專利權(quán)）人: SKC索密思株式會社
• 主分類號: G03F1/82
• 分類號: G03F1/82
• 代理公司: 成都超凡明遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51258
• 代理人: 洪玉姬

1.一種層疊體的制造方法，其中，

包括：

準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備處理對象，所述處理對象是設(shè)置有遮光膜的處理前的層疊體，以及

碳酸水清洗步驟，通過針對所述處理對象適用施加紫外線和碳酸水的第一清洗來準(zhǔn)備清洗過的層疊體；

所述遮光膜包含過渡金屬，還包含氧、氮或碳，

所述層疊體具有通過離子色譜法測量的殘留離子含量，所述殘留離子包括硫基離子和硝酸基離子，

所述硫基離子的含量大于0ng/cm²且小于等于0.1ng/cm²，

所述硝酸基離子的含量大于0ng/cm²且小于等于0.1ng/cm²。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體的制造方法，其中，

所述遮光膜通過適用濺射方法的遮光膜的制造步驟來制造，

所述濺射方法為，在配置包含過渡金屬的靶材后，在反應(yīng)性氣體中進(jìn)行濺射的方法，所述反應(yīng)性氣體包括含氧原子的氣體、含氮原子的氣體或含碳原子的氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體的制造方法，其中，

在所述碳酸水清洗步驟中，紫外線以190nm至290nm中的任一波長以1mW/cm²至11mW/cm²的光量照射。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體的制造方法，其中，

在所述碳酸水清洗步驟中，碳酸水的電導(dǎo)率大于等于1μS/cm且小于等于10μS/cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體的制造方法，其中，

在所述碳酸水清洗步驟之前，還包括紫外線清洗步驟，

所述紫外線清洗步驟是用波長大于等于120nm且小于190nm的紫外線照射所述處理對象的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體的制造方法，其中，

在所述碳酸水清洗步驟中，所述碳酸水與兆聲波一起適用。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體的制造方法，其中，

所述碳酸水清洗步驟還包括第二清洗，

所述第二清洗是將碳酸水和氫水一起作為清洗液施加到已進(jìn)行所述第一清洗的所述處理對象的過程。

8.一種層疊體，其中，

作為設(shè)置有遮光膜的層疊體，

所述遮光膜包含過渡金屬，還包含氧和氮中的至少一種，

所述遮光膜對波長193nm的光的反射率為35％以下，

所述層疊體具有通過離子色譜法測量的殘留離子含量，所述殘留離子包括硫基離子和硝酸基離子，

所述硫基離子的含量大于0ng/cm²且小于等于0.1ng/cm²，

所述硝酸基離子的含量大于0ng/cm²且小于等于0.1ng/cm²。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊體，其中，

所述殘留離子包括離子雜質(zhì)，所述離子雜質(zhì)為所述硫基離子、所述硝酸基離子、鹵素離子和銨離子，

所述離子雜質(zhì)的含量大于0ng/cm²且小于等于1.5ng/cm²。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊體，其中，

所述殘留離子包括鈉離子、磷酸根離子、鉀離子、鎂離子和鈣離子，

所述鈉離子含量、所述磷酸根離子含量、所述鉀離子含量、所述鎂離子含量和所述鈣離子的含量之和小于等于0.01ng/cm²。