[發(fā)明專利]顯示裝置及其制作方法及電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211518698.7 | 申請日: | 2022-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN116096183A | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 肖玲;趙振元 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)想(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H10K59/50 | 分類號: | H10K59/50;H10K59/60;H10K71/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐華 |
| 地址: | 100085 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 及其 制作方法 電子設(shè)備 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
顯示組件,所述顯示組件具有第一區(qū)域,所述第一區(qū)域背離顯示表面的一側(cè)用于設(shè)置感光元件;
光學(xué)膜層,位于所述顯示組件的出光側(cè);其中,所述光學(xué)膜層具有與所述第一區(qū)域相對的第一鏤空區(qū)域;
填充所述第一鏤空區(qū)域的第一功能件,所述第一功能件至少用于提升所述第一區(qū)域的透光率,且所述第一功能件與所述光學(xué)膜層的外觀滿足顏色條件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述第一功能件為碳納米管薄膜或是石墨烯薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述第一功能件的厚度不小于所述光學(xué)膜層的厚度;所述第一功能件背離所述顯示組件的一側(cè)表面相對與所述光學(xué)膜層背離所述顯示組件的一側(cè)表面具有凸起。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,所述凸起的高度不超過5000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述光學(xué)膜層與所述顯示組件之間具有第二功能件,所述第二功能件至少用于提升所述顯示組件的透光率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,所述第二功能件具有與所述第一區(qū)域相對的第二鏤空區(qū)域,所述第一功能件還填充所述第二鏤空區(qū)域,所述第一功能件的厚度大于所述第二功能件的厚度;
或,所述第二功能件覆蓋所述顯示組件;所述第一功能件位于所述第二功能件對應(yīng)所述第一區(qū)域的表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述顯示組件包括:
陣列基板,具有相對的第一表面和第二表面;
顯示陣列,位于所述第一表面上,所述顯示陣列具有多個用于圖像顯示的發(fā)光元件;所述發(fā)光元件為OLED子像素;
封裝層,位于所述顯示陣列的表面上;
其中,所述顯示陣列在所述第一區(qū)域的部分具有第一透光率,在所述第一區(qū)域之外的部分具有第二透光率,所述第一透光率大于在所述第二透光率,和/或,所述陣列基板中像素電路在所述第一區(qū)域的部分具有第三透光率,在所述第一區(qū)域之外的部分具有第四透光率,所述第三透光率大于在所述第四透光率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,所述顯示組件包括:
陣列基板,具有相對的第一表面和第二表面;
顯示陣列,位于所述第一表面上,所述顯示陣列具有多個用于圖像顯示的發(fā)光元件;所述發(fā)光元件為OLED子像素;
封裝層,位于所述顯示陣列的表面上;
所述感光元件位于所述陣列基板背離所述顯示陣列的一側(cè),且與所述第一區(qū)域相對設(shè)置。
9.一種電子設(shè)備,包括:
如權(quán)利要求1-8任一項所述的顯示裝置;
感光元件,位于所述顯示組件背離所述光學(xué)膜層的一側(cè),且與所述第一區(qū)域相對設(shè)置;
處理器,與所述感光元件以及所述顯示裝置連接,用于控制所述顯示裝置與所述感光元件的工作狀態(tài)。
10.一種顯示裝置的制作方法,包括:
制備顯示組件;所述顯示組件具有第一區(qū)域;
在所述顯示組件的出光側(cè)制備光學(xué)膜層以及第一功能件;
其中,所述光學(xué)膜層具有與所述第區(qū)域相對的第一鏤空區(qū)域;所述第一功能件填充所述第一鏤空區(qū)域,至少用于提升所述第一區(qū)域的透光率。
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