[發(fā)明專利]溫控抗過(guò)載光組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211513506.3 | 申請(qǐng)日: | 2022-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115763577B | 公開(公告)日: | 2023-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曲業(yè)飛;邱振龍;郭靖宇;鄒小雪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東中科際聯(lián)光電集成技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0203 | 分類號(hào): | H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/08;H01L31/02;G02F1/00;G02F1/01 |
| 代理公司: | 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 37212 | 代理人: | 黃玲玉 |
| 地址: | 255086 山東省淄博市高*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 溫控 過(guò)載 組件 | ||
本發(fā)明公開了一種溫控抗過(guò)載光組件,它屬于光組件領(lǐng)域,即可以解決接收端,PD芯片的輸入光功率過(guò)載,即入射到PD芯片的光功率大于過(guò)載光功率問(wèn)題,又可以解決發(fā)射端,在不改變LD芯片工作參數(shù)與不增加光衰減器的條件下,調(diào)節(jié)LD芯片光功率的問(wèn)題。它主要包括管座,管座上設(shè)有管帽和芯片,管帽上設(shè)有光窗,所述管座上設(shè)有P極電引線和N極電引線,P極電引線和N極電引線之間電性連接有溫控模塊,溫控模塊上設(shè)有光孔,溫控模塊的光孔上方設(shè)有溫控光學(xué)部件,光孔和溫控光學(xué)部件位于芯片上方。本發(fā)明主要用于為PD芯片或LD芯片調(diào)節(jié)透光率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光組件,具體地說(shuō),尤其涉及一種溫控抗過(guò)載光組件。
背景技術(shù)
自由空間光通訊應(yīng)用場(chǎng)景,由于湍流、大氣擾動(dòng)的存在,導(dǎo)致接收端入射到光電探測(cè)器的光功率閃爍。當(dāng)入射到光電探測(cè)器的光功率大于過(guò)載光功率時(shí),將導(dǎo)致通訊系統(tǒng)會(huì)產(chǎn)生誤碼,嚴(yán)重時(shí)甚至燒毀光電探測(cè)器芯片。
自由空間光通訊或光纖通訊應(yīng)用場(chǎng)景,為了調(diào)整光發(fā)射端的光功率,一般有兩種解決方案,①改變LD芯片的工作參數(shù),改變激LD芯片發(fā)出的光功率;②在光鏈路中增加光衰減器,調(diào)整光鏈路內(nèi)的光功率。
限流方案:在光電探測(cè)器增加電阻,以降低通過(guò)光電探測(cè)器芯片的電流,避免PD過(guò)載或燒毀。限壓方案:控制PD工作電壓,避免PD過(guò)載或燒毀。PD的工作電壓值越大,靈敏度越好,越容易過(guò)載;PD的工作電壓值越小,靈敏度越差,越不容易過(guò)載。
無(wú)論是限流方案或者限壓方案,都是通過(guò)調(diào)整PD的工作參數(shù),不能從根本上控制入射光,無(wú)法從控制輸入光功率這個(gè)根本上解決問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的,在于提供一種溫控抗過(guò)載光組件,即可以解決接收端,芯片的輸入光功率過(guò)載,即入射到的光功率大于過(guò)載光功率問(wèn)題,又可以解決發(fā)射端,在不改變芯片工作參數(shù)與不增加光衰減器的條件下,調(diào)節(jié)光功率的問(wèn)題。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種溫控抗過(guò)載光組件,包括管座,管座上設(shè)有管帽和芯片,管帽上設(shè)有光窗,所述管座上設(shè)有P極電引線和N極電引線,P極電引線和N極電引線之間電性連接有溫控模塊,溫控模塊上設(shè)有光孔,溫控模塊的光孔上方設(shè)有溫控光學(xué)部件,光孔和溫控光學(xué)部件位于芯片上方。
進(jìn)一步地,所述的溫控光學(xué)部件包括透明材質(zhì)和溫感聚合物液體,溫感聚合物液體位于透明材質(zhì)內(nèi),透明材質(zhì)為凝膠玻璃或高溫熔融玻璃或透明陶瓷或有機(jī)玻璃,溫感聚合物液體包括溫感聚合物3~10%、紅外吸收劑0.1~2%、醇溶劑60~90%和去離子水,上述含量為重量百分比。
進(jìn)一步地,所述的透明材質(zhì)厚度0.1mm~3.0mm,長(zhǎng)度0.1~1.0mm,寬度0.1~1.0mm。
進(jìn)一步地,當(dāng)溫控光學(xué)部件的材料溫度高于濁點(diǎn)時(shí),溫感聚合物液體為均相,透光率趨于100%;當(dāng)溫控光學(xué)部件的材料溫度低于濁點(diǎn)時(shí),溫感聚合物液體為非均相,溶液變渾濁,溫度越低,渾濁度越高,透光率越小。
進(jìn)一步地,所述的溫控模塊包括陶瓷基板,陶瓷基板上設(shè)有薄膜電阻,薄膜電阻環(huán)設(shè)于溫控光學(xué)部件下方,P極電引線和N極電引線分別電性連接薄膜電阻兩端;薄膜電阻等同于一定阻值R的電阻,當(dāng)有電流I從P極流向N極時(shí)產(chǎn)生熱量,熱量功率P=I2R,當(dāng)薄膜電阻電流I為零時(shí),溫控光學(xué)部件不透光;當(dāng)薄膜電阻電流I逐漸增加時(shí),薄膜電阻產(chǎn)生熱量,隨著溫控光學(xué)部件溫度逐漸增加,溫控光學(xué)部件的透光率逐漸變大,入射到芯片上的光功率也隨之增大。
進(jìn)一步地,所述的溫控模塊為TEC溫控器,TEC溫控器的P極與P極電引線電性連接,TEC溫控器的N極與N極電引線電性連接;通過(guò)調(diào)整P極電引線、N極電引線之間的電流方向與大小,TEC溫控器表面的溫度不同,從而調(diào)整溫控光學(xué)部件的透光率。
進(jìn)一步地,所述的芯片為PD芯片或LD芯片。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東中科際聯(lián)光電集成技術(shù)研究院有限公司,未經(jīng)山東中科際聯(lián)光電集成技術(shù)研究院有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211513506.3/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 一種碼分多址通信系統(tǒng)過(guò)載控制方法
- 過(guò)載檢測(cè)設(shè)備
- 計(jì)費(fèi)請(qǐng)求消息的過(guò)載控制方法及裝置
- 計(jì)費(fèi)請(qǐng)求消息的過(guò)載控制方法及裝置
- 一種配電網(wǎng)臺(tái)區(qū)重過(guò)載風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估方法和裝置
- 過(guò)載保護(hù)方法、控制方法、裝置和風(fēng)電變流器
- 一種智能抽屜助推器
- 基于過(guò)載角速度的飛行器縱向過(guò)載非線性控制方法
- 模擬過(guò)載譜下的公路橋梁防抖和過(guò)載性能控制系統(tǒng)
- 重過(guò)載事件的監(jiān)測(cè)方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





