[發(fā)明專利]一種基于數(shù)值仿真獲取電機(jī)高頻阻抗參數(shù)的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211512120.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-11-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115795863A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于大偉;施振川;宋秀毅;寧雪梅;曾錚;解偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所;泉州裝備制造研究所;貴陽(yáng)航空電機(jī)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F30/20 | 分類號(hào): | G06F30/20;G06F17/10;G06F119/02 |
| 代理公司: | 泉州市文華專利代理有限公司 35205 | 代理人: | 陳雪瑩 |
| 地址: | 350000 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 數(shù)值 仿真 獲取 電機(jī) 高頻 阻抗 參數(shù) 方法 | ||
1.一種基于數(shù)值仿真獲取電機(jī)高頻阻抗參數(shù)的方法,其特征在于:將電機(jī)整體原型按照電路的疊加和磁場(chǎng)的輻射特性分解為三段模擬空間;然后對(duì)各段模擬空間分別模擬計(jì)算出高頻阻抗的電阻、電感、電容參數(shù);再采用多導(dǎo)體分解計(jì)算模型分別獲得各段模擬空間的單導(dǎo)體高頻阻抗的電阻、電感、電容參數(shù);最后根據(jù)高頻阻抗外部繞組連接模型分別重整計(jì)算各段模擬空間的多匝繞組高頻阻抗的電阻、電感、電容參數(shù);其中,各段模擬空間內(nèi)的同相導(dǎo)線電阻值分解重整采用串聯(lián)模型,電感值分解重整采用串聯(lián)模型,電容值分解重整采用并聯(lián)模型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于數(shù)值仿真獲取電機(jī)高頻阻抗參數(shù)的方法,其特征在于,通過(guò)如下步驟實(shí)現(xiàn):
S1:分段模擬
將電機(jī)整體原型按照電路的疊加和磁場(chǎng)的輻射特性分解為三段模擬空間,分別為對(duì)應(yīng)于電機(jī)前端繞組的前端繞組發(fā)射空間、對(duì)應(yīng)于電機(jī)后端繞組的后端繞組發(fā)射空間、對(duì)應(yīng)于電機(jī)主體繞組的主體繞組發(fā)射空間;對(duì)主體繞組發(fā)射空間采用降階的二維等效仿真模型進(jìn)行仿真模擬,對(duì)前端繞組發(fā)射空間和后端繞組發(fā)射空間分別采用簡(jiǎn)化為單一導(dǎo)體后的三維空間高頻電磁場(chǎng)仿真模型進(jìn)行仿真模擬;
S2:分解計(jì)算
對(duì)各段模擬空間的仿真結(jié)果進(jìn)行分解,通過(guò)如下公式(1)、公式(2)和公式(3)分別分解出各段模擬空間中各相的單導(dǎo)體電阻Rt、單導(dǎo)體電感Lt和單導(dǎo)體電容Ct;
Ct=NtCw 式(3)
其中,Rw代表同一段模擬空間內(nèi)的多導(dǎo)體串聯(lián)電阻,Lw代表同一段模擬空間內(nèi)的多導(dǎo)體串聯(lián)電感,Cw代表同一段模擬空間內(nèi)的多導(dǎo)體串聯(lián)電容,Nt為多導(dǎo)體匝數(shù);其中,主體繞組發(fā)射空間的仿真模型已按單導(dǎo)體處理后仿真得到的結(jié)果,其匝數(shù)Nt視為1;
S3:重整計(jì)算
對(duì)各段模擬空間中各相的單導(dǎo)體電阻Rt、單導(dǎo)體電感Lt和單導(dǎo)體電容Ct分別按如下公式(4)、公式(5)和公式(6)進(jìn)行重整計(jì)算,此時(shí)需要應(yīng)用電機(jī)繞組真實(shí)的匝數(shù)Nt進(jìn)行計(jì)算,分別得到電機(jī)整體原型的高頻電阻Rs、電機(jī)整體原型的高頻電感Ls和電機(jī)整體原型的高頻電容Cp;
Rs=NtFs(Rt) 式(4)
其中,F(xiàn)s(Rt)代表高頻電阻的連接計(jì)算函數(shù),F(xiàn)s(Lt)代表高頻電感的連接計(jì)算函數(shù),F(xiàn)P(Ct)代表高頻電容的連接計(jì)算函數(shù),F(xiàn)s(Rt)、Fs(Lt)和FP(Ct)根據(jù)高頻阻抗的外部接線和內(nèi)部接線采用相對(duì)應(yīng)的計(jì)算式。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于數(shù)值仿真獲取電機(jī)高頻阻抗參數(shù)的方法,其特征在于:電機(jī)整體原型的內(nèi)部接線采用三相星形繞組,差模高頻阻抗的外部接線為VW兩相并聯(lián),U相通過(guò)中性點(diǎn)與VW串聯(lián),此時(shí)Fs(Rt)、Fs(Lt)和FP(Ct)的計(jì)算式分別如公式(7)、公式(8)和公式(9);
其中,Σ代表對(duì)各段模擬空間的相應(yīng)參數(shù)的求和,即,Σ的求和內(nèi)容是各段模擬空間的相應(yīng)參數(shù),Σ的求和結(jié)果是各段模擬空間的相應(yīng)參數(shù)的總和;Rt·U代表在U相計(jì)算得到的Rt,Rt·V代表在V相計(jì)算得到的Rt,Rt·W代表在W相計(jì)算得到的Rt;Lt·U代表在U相計(jì)算得到的Lt,Lt·V代表在V相計(jì)算得到的Lt,Lt·W代表在W相計(jì)算得到的Lt;Ct·U代表在U相計(jì)算得到的Ct,Ct·V代表在V相計(jì)算得到的Ct,Ct·W代表在W相計(jì)算得到的Ct。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所;泉州裝備制造研究所;貴陽(yáng)航空電機(jī)有限公司,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所;泉州裝備制造研究所;貴陽(yáng)航空電機(jī)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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