[發明專利]發光元件、發光組件及制作方法

在審

• 申請號: 202211512101.8
• 申請日: 2022-11-29
• 公開（公告）號: CN115799294A
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 葉雪萍;夏德玲;李佳恩
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務所(普通合伙) 35234
• 代理人: 李強

1.一種發光元件，其特征在于，所述發光元件包括：

至少兩個相鄰的發光單元；

橋接導電橋，所述橋接導電橋橋接在相鄰的所述發光單元上以形成彼此串聯；

所述發光單元包括外延結構以及介質層；

所述外延結構具有彼此相對的第一表面、第二表面，所述第一表面為出光面；彼此串聯的所述發光單元之間具有由所述第一表面向所述第二表面方向貫穿的溝槽；所述第二表面開設有若干不貫穿外延結構的移除區；

所述介質層覆蓋所述發光單元的所述第二表面并跨過溝槽延伸覆蓋至與之串聯的所述發光單元的所述第二表面；所述橋接導電橋位于所述介質層背離所述外延結構的一側，并通過至少一移除區與外延結構電連接。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：從發光元件的上方向外延結構俯視，若干所述移除區在外延結構上的投影位于所述溝槽在外延結構上的投影范圍之外。

3.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：所述移除區包括位于外延結構內側的第一內部移除區；所述第一內部移除區用于實現外延結構與橋接導電橋的電連接；所述第一內部移除區到溝槽底部的距離H的范圍為0.5～3微米。

4.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：所述橋接導電橋的厚度范圍為0.5～1.5微米，所述橋接導電橋的材料至少包括電介質、金屬、半導體材料中的一種。

5.根據權利要求3所述的發光元件，其特征在于：所述外延結構包括由第一表面向第二表面依次層疊的第一類半導體層、發光層以及第二類半導體層；所述介質層上開設有第一通孔和第二通孔；所述第一通孔貫穿介質層且與所述第一內部移除區相連通；所述第一內部移除區由第二表面向第一表面延伸至裸露出所述發光單元的第一類半導體層；所述第二通孔貫穿介質層并裸露出與所述發光單元彼此串聯的另一發光單元的第二類半導體層；

所述橋接導電橋通過所述第一通孔、第二通孔分別與彼此串聯的兩個所述發光單元的所述第一類半導體層和第二類半導體層電連接。

6.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：所述介質層的厚度范圍是0.5～1.5微米，所述介質層至少包括反射層。

7.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于：所述移除區還包括位于所述外延結構外邊緣的外部移除區；所述外部移除區由所述外延結構的第二表面向第一表面移除至暴露出第一類半導體層；所述介質層延伸覆蓋至外部移除區。

8.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：所述溝槽由所述第一表面向所述第二表面方向的開口逐漸減小。

9.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于：所述溝槽具有連接第一表面和第二表面的溝槽側壁，所述溝槽側壁由至少一平面或至少一弧面或前述組合形成。

10.根據權利要求9所述的發光元件，其特征在于：所述溝槽具有位于所述溝槽側壁與所述第一表面連接處的頂邊以及位于所述溝槽側壁與所述第二表面連接處的底邊；所述頂邊與所述底邊的公垂線與所述第二表面的夾角θ小于90°。

11.根據權利要求10所述的發光元件，其特征在于：所述夾角θ的范圍為大于等于45°且小于70°，或大于等于70°且小于80°，或大于等于80°且小于90°。

12.根據權利要求10所述的發光元件，其特征在于：所述夾角θ的范圍為大于45°且小于75°。

13.根據權利要求9-12任一項所述的發光元件，其特征在于：所述溝槽側壁為一傾斜平面或一傾斜弧面。

14.根據權利要求13所述的發光元件，其特征在于：所述溝槽側壁為傾斜弧面時，所述傾斜弧面的切線與第二表面的夾角β大于30°且小于90°，且夾角β逐漸增大或逐漸減小。