[發明專利]一種閾值開關材料、閾值開關器件及其制備方法在審
| 申請號： | 202211501433.6 | 申請日： | 2022-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN115867122A | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發明（設計）人： | 饒峰;丁科元;陳金濤 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 劉芙蓉 |
| 地址： | 518060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 閾值 開關 材料 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種閾值開關材料，其特征在于，所述閾值開關材料的化學式為MxD1-x，其中，M為La、Ce、Gd、Lu、Sc、Y、Zr、Mo、Hf、W、Ta中的一種，D為S、Se、Te中的一種，0.1≤x≤0.8。
2.一種閾值開關器件，其特征在于，包括從下至上依次層疊設置的第一電極、閾值開關材料層和第二電極，所述閾值開關材料層包括權利要求1所述的閾值開關材料。
3.根據權利要求2所述的閾值開關器件，其特征在于，所述閾值開關器件還包括：
介質包覆層，包覆在所述依次層疊設置的第一電極、閾值開關材料層、第二電極構成的整體的側面上。
4.根據權利要求2所述的閾值開關器件，其特征在于，所述閾值開關器件還包括：
具有通孔的襯底，所述第一電極設置在所述通孔中，所述閾值開關材料層設置在所述襯底及所述第一電極上；
介質包覆層，包覆在所述層疊設置的閾值開關材料層、第二電極構成的整體的側面上。
5.根據權利要求3或4所述的閾值開關器件，其特征在于，所述第一電極的材料選自W、TiW、TiN、TiSiN中的至少一種。
6.根據權利要求3或4所述的閾值開關器件，其特征在于，所述第二電極的材料選自W、TiW、TiN中的至少一種。
7.根據權利要求3或4所述的閾值開關器件，其特征在于，所述介質包覆層的材料選自SiO2、Si3N4中的至少一種。
8.根據權利要求3或4所述的閾值開關器件，其特征在于，所述閾值開關材料層的厚度為2～40nm。
9.根據權利要求4所述的閾值開關器件，其特征在于，所述襯底的材料選自SiO2、Si3N4中的至少一種。
10.一種閾值開關器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供第一電極；
在所述第一電極上形成閾值開關材料層，所述閾值開關材料層的材料包括權利要求1所述的閾值開關材料；
在所述閾值開關材料層上形成第二電極。
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