[發明專利]一種用于沉積薄膜的方法和設備以及薄膜

在審

• 申請號: 202211493065.5
• 申請日: 2022-11-25
• 公開（公告）號: CN115821229A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 李翔;糜珂;胡磊;姚京;左敏;趙昂璧
• 申請（專利權）人: 江蘇微導納米科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于沉積薄膜的方法，其包含：

將基板提供至反應腔室中，所述反應腔室包含一或多個第一化學反應物出口，以及空間上獨立于所述一或多個第一化學反應物出口的一或多個第二化學反應物出口；以及

使所述基板與所述一或多個第一化學反應物出口和所述一或多個第二化學反應物出口發生相對位移，其中通過所述第一化學反應物出口的第一化學反應物和通過所述第二化學反應物出口的第二化學反應物中至少一者以脈沖形式施加至所述基板。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述基板包含上表面和下表面，所述一或多個第一化學反應物出口以及所述一或多個第二化學反應物出口相對于所述基板的所述上表面和所述下表面中的至少一者。

3.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含位于所述一或多個第一化學反應物出口和所述一或多個第二化學反應物出口之間的一或多個吹掃出口。

4.根據權利要求3所述的方法，其進一步包含將第一惰性氣體以常通方式經由所述一或多個吹掃出口施加至所述基板。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一惰性氣體包含氬氣或氮氣。

6.根據權利要求3所述的方法，其進一步包含位于所述一或多個第一化學反應物出口以及所述一或多個吹掃出口之間的第一抽氣口，位于所述一或多個第二化學反應物出口以及所述一或多個吹掃出口之間的第二抽氣口，其中所述第一抽氣口經配置以將所述第一化學反應物從所述反應腔室中排出，且所述第二抽氣口經配置以將所述第二化學反應物從所述反應腔室中排出。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一抽氣口和/或所述第二抽氣口包含節流裝置。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述相對位移包括旋轉、前進或搖擺。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一化學反應物和/或所述第二化學反應物中通過第二惰性氣體作為載氣導入所述反應腔室內。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第二惰性氣體包含氬氣或氮氣。

11.根據權利要求1中所述的方法，其中所述反應腔室的反應溫度為25℃～400℃。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述基板包含柔性薄膜、玻璃或硅晶圓，其中柔性薄膜包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺(PI)。

13.根據權利要求1至12中任一者所述的方法，其中所述第一化學反應物以脈沖形式施加至所述基板，且所述第二化學反應物以常通形式施加至所述基板。

14.根據權利要求1至12中任一者所述的方法，其中所述第一化學反應物和所述第二化學反應物以無間隙交替脈沖形式施加至所述基板。

15.根據權利要求1至12中任一者所述的方法，其中所述第一化學反應物和所述第二化學反應物以源交集交替脈沖形式施加至所述基板。

16.根據權利要求1至12中任一者所述的方法，其中所述第一化學反應物和所述第二化學反應物以源間隙交替脈沖形式施加至所述基板。