[發明專利]一種LED外延結構及其制備方法、LED芯片在審
| 申請號： | 202211489363.7 | 申請日： | 2022-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN115863504A | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發明（設計）人： | 萬志;王莎莎;史成丹;卓祥景;程偉;金張育 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361101 福建省廈門市廈門火*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 外延 結構 及其 制備 方法 芯片 | ||
1.一種LED外延結構，其特征在于，包括：
襯底，及依次層疊于所述襯底表面的N型半導體層、保護層、MQW層、最后一個量子壘層以及P型半導體層；
其中，所述MQW層包括沿第一方向交替層疊生長的量子壘和量子阱，所述量子壘包括若干組InGaN/GaN/AlGaN層，以形成對電子的層級散射和反生長方向的極化電場；所述第一方向垂直于所述襯底，且由所述襯底指向所述N型半導體層。
2.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述量子壘的兩接觸面分別設有GaN層。
3.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，在所述N型半導體層和MQW層之間設有保護層，且所述保護層包括交替堆疊的第二N型GaN層和UGaN層。
4.根據權利要求3所述的LED外延結構，其特征在于，所述第二N型GaN層的N型摻雜濃度小于所述N型半導體層的N型摻雜濃度。
5.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，最后一個量子壘層包括GaN-AlGaN-AlN復合層狀結構。
6.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，在所述最后一個量子壘層中，所述GaN層的厚度不小于所述AlGaN層的厚度。
7.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，在所述最后一個量子壘層中，所述AlN層的厚度不大于所述AlGaN層的厚度。
8.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述N型半導體層包括若干組N型摻雜的AlGaN/GaN層。
9.一種LED外延結構的制備方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底表面依次生長N型半導體層、保護層、MQW層、最后一個量子壘層以及P型半導體層；
其中，所述MQW層包括沿生長方向交替層疊生長的量子壘和量子阱，所述量子壘包括若干組InGaN/GaN/AlGaN層，以形成對電子的層級散射和反生長方向的極化電場；
所述量子壘的兩接觸面分別設有GaN層。
10.根據權利要求9所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于，所述保護層包括交替堆疊的第二N型GaN層和UGaN層；且所述第二N型GaN層的N型摻雜濃度小于所述N型半導體層的N型摻雜濃度；
所述N型半導體層包括若干組N型摻雜的AlGaN/GaN層；
所述最后一個量子壘層包括GaN-AlGaN-AlN復合層狀結構。
11.根據權利要求9所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于，在通過所述InGaN/GaN/AlGaN層，實現量子壘中In組分間斷式生長的過程中，保持H2的并入，且In和H2的并入呈相反的狀態。
12.一種LED芯片，包括；
權利要求1-8任一項所述的LED外延結構；
N型電極，所述N型電極與所述N型半導體層形成歐姆接觸；
P型電極，所述P型電極與所述P型半導體層形成歐姆接觸。
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