[發明專利]一種SGT器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202211483902.6
• 申請日: 2022-11-24
• 公開（公告）號: CN115954272A
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發明（設計）人: 孫少娟;周佛靈
• 申請（專利權）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京磐華捷成知識產權代理有限公司 11851
• 代理人: 翟海青

1.一種SGT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底中形成有溝槽，所述溝槽的內表面覆蓋有第一介電層，所述溝槽中形成有屏蔽柵極；

回刻蝕所述第一介電層，以暴露所述屏蔽柵極的頂部以及所述溝槽側壁的半導體襯底；

沉積形成覆蓋所述屏蔽柵極的頂部、所述第一介電層頂部和所述溝槽側壁的介電材料層；

回刻蝕所述介電材料層，所述屏蔽柵極的頂部剩余的介電材料作為第二介電層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積形成覆蓋所述屏蔽柵極的頂部、所述第一介電層頂部和所述溝槽側壁的介電材料層包括：

執行第一化學氣相沉積，以在所述屏蔽柵極的頂部、所述第一介電層頂部和所述溝槽側壁上形成具有第一厚度的第一介電材料層；

執行第二化學氣相沉積，以在所述屏蔽柵極的頂部、所述第一介電層頂部和所述溝槽側壁上形成第二介電材料層，其中，在所述屏蔽柵極的頂部的所述第二介電材料層具有第二厚度，在所述溝槽側壁上的所述第二介電材料層具有第三厚度。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一化學氣相沉積包括亞常壓化學氣相沉積，所述第二化學氣相沉積包括高密度等離子體化學氣相沉積。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第二介電層之后，還包括形成覆蓋所述溝槽側壁的第三介電層的步驟。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，形成覆蓋所述溝槽側壁的第三介電層包括：

回刻蝕所述介電材料層直至暴露所述溝槽側壁的半導體襯底；

氧化所述暴露的溝槽側壁的半導體襯底，以形成覆蓋所述溝槽側壁的第三介電層。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，形成覆蓋所述溝槽側壁的第三介電層包括：

回刻蝕所述介電材料層，所述溝槽側壁上剩余的介電材料作為第三介電層。

7.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二介電層的厚度大于所述第三介電層的厚度。

8.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一厚度的范圍為所述第二厚度的范圍為所述第三厚度的范圍為

9.一種SGT器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底中形成有溝槽，所述溝槽中形成有屏蔽柵極；

所述屏蔽柵極與所述半導體襯底之間形成有第一介電層，所述屏蔽柵極頂部形成有第二介電層，所述第二介電層上方的溝槽側壁形成有第三介電層。

10.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述第二介電層的厚度大于所述第三介電層的厚度。