[發明專利]一種用于射頻收發芯片的RSSI級聯運放電路

在審

• 申請號: 202211480716.7
• 申請日: 2022-11-24
• 公開（公告）號: CN115865007A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 李嘉翔;張美娟;馮奕;唐茂潔
• 申請（專利權）人: 中科芯集成電路有限公司
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03F1/30;H03F3/193;H03F3/68;H04B1/40
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊強

1.一種用于射頻收發芯片的RSSI級聯運放電路，其特征在于，包括RC濾波模塊、級聯運放模塊、比較器和整流器四個部分；

所述RC濾波模塊的雙輸入端外接于外部信號Vin1和Vin2，雙輸出端與所述級聯運放模塊的雙輸入端連接，用于取前級信號并進行處理成有效信號輸送至所述級聯運放模塊；

所述級聯運放模塊用于放大輸入信號并放大電路的工作線性范圍，包括N級串聯的單級運放模塊，每級單級運放模塊的雙輸出端均與所述整流器的輸入端連接；

最后一級的單級運放模塊的雙輸出端與比較器的雙輸入端連接，比較器的雙輸出端與外部的數字信號Vout1和Vout2連接。

2.如權利要求1所述的一種用于射頻收發芯片的RSSI級聯運放電路，其特征在于，所述RC濾波模塊包括在每條支路中的一個耦合電容和可控電阻，兩個耦合電容分別直連外部信號Vin1和Vin2；可控電阻的一端與所述級聯運放模塊的雙輸入端并聯，可控電阻另一端由外部電路提供穩定DC信號給所述級聯運放模塊。

3.如權利要求1所述的一種用于射頻收發芯片的RSSI級聯運放電路，其特征在于，所述單級運放模塊包括偏置電路，所述偏置電路包括NMOS管MN9～MN16和PMOS管MP19～MP20；

NMOS管MN9的漏端連接電流I1，柵端連接V6口，源端同時連接NMOS管MN10的漏端和柵端、NMOS管MN11的柵端；NMOS管MN10的源端連接NMOS管MN11的漏端；NMOS管MN11的源端接地，柵端連接NMOS管MN13的柵端；

NMOS管MN12的漏端連接電流I2，柵端連接V7口，源端同時連接NMOS管MN13的漏端和NMOS管MN14的柵端；NMOS管MN13的柵端連接NMOS管MN15的柵端，源端連接NMOS管MN14的漏端；NMOS管MN14的源端接地，柵端連接NMOS管MN16的柵端；

NMOS管MN16的源端接地，柵端連接V3口，漏端連接NMOS管MN15的源端；NMOS管MN15的柵端連接V2口，漏端同時連接PMOS管MP20的漏端和柵端、PMOS管MP19的柵端；

PMOS管MP20的源端連接PMOS管MP19的漏端，PMOS管MP19的源端接電源VDD，柵端連接V1口。