[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體晶片的CMP裝置和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211480328.9
• 申請日: 2022-11-23
• 公開（公告）號: CN115816285A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐新華
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: B24B37/005
• 分類號: B24B37/005;B24B49/02;B24B37/015;B24B37/10;B24B7/22;B08B3/02;H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 杭州融方專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33266
• 代理人: 沈相權(quán);詹雨露

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶片的CMP的方法，包括以下步驟：通過攝像設(shè)備獲取半導(dǎo)體晶片的照片，獲取到半導(dǎo)體晶片的面積Sb；以及獲取到半導(dǎo)體晶片上的凸點的信息；當(dāng)?shù)玫桨雽?dǎo)體晶片CNP信號時，啟動拋光模塊對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光處理，并對半導(dǎo)體晶片的拋光工藝進(jìn)行實時監(jiān)測；當(dāng)?shù)玫紺MP正常信號時，保證其拋光設(shè)備正常工作，當(dāng)?shù)玫紺MP不正常信號時，對拋光設(shè)備進(jìn)行工藝參數(shù)調(diào)整，本發(fā)明避免對不合格半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光處理，影響生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片機(jī)械拋光的效率，以及在拋光時，處于合理的工藝范圍內(nèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體晶片的CMP裝置和方法。

背景技術(shù)

中國專利CN 110193775 A公開了一種化學(xué)機(jī)械拋光方法及化學(xué)機(jī)械拋光裝置，充分考慮了化學(xué)機(jī)械拋光裝置上的晶片載體隨著長時間使用而導(dǎo)致的厚度變化對半導(dǎo)體晶片的拋光效果的影響，在設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)之前，先測量晶片載體的厚度，并計算出測得的晶片載體的厚度與待拋光的半導(dǎo)體晶片在完成拋光后的目標(biāo)厚度之間的差值，然后根據(jù)該差值設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)；

現(xiàn)有技術(shù)中，在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行CMP處理時，通常是直接將上游工藝得到的晶片直接拿取過來進(jìn)行拋光處理，而其處理方式存在著對不合格的晶片進(jìn)行拋光處理，導(dǎo)致設(shè)備加工時間和效能的浪費；以及在拋光時，拋光設(shè)備的壓力、轉(zhuǎn)速、研磨液等參數(shù)是預(yù)先設(shè)置的，且在工作時也是固定不變的，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片在拋光時，產(chǎn)品合格率不高的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的就在于解決現(xiàn)有拋光設(shè)備對不合格的晶片也進(jìn)行拋光處理的問題，而提出一種半導(dǎo)體晶片的CMP裝置和方法。

本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種半導(dǎo)體晶片的CMP的方法，包括以下步驟：

步驟1：將半導(dǎo)體晶片置于晶片載體上，通過攝像設(shè)備獲取半導(dǎo)體晶片的照片，獲取到半導(dǎo)體晶片的面積Sb；以及獲取到半導(dǎo)體晶片上的凸點的信息，凸點的信息包括凸點的位置以及數(shù)量，分別標(biāo)記為Wh和Sl；

步驟2：獲取到半導(dǎo)體晶片CNP信號和半導(dǎo)體晶片不需要CNP信號，當(dāng)?shù)玫桨雽?dǎo)體晶片CNP信號時，啟動拋光模塊對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行拋光處理，并對半導(dǎo)體晶片的拋光工藝進(jìn)行實時監(jiān)測；

步驟3：當(dāng)在對半導(dǎo)體晶片的拋光工藝進(jìn)行實時監(jiān)測，并生成CMP正常信號、CMP不正常信號時，將對半導(dǎo)體的拋光工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整；當(dāng)?shù)玫紺MP正常信號時，保證其拋光設(shè)備正常工作，當(dāng)?shù)玫紺MP不正常信號時，對拋光設(shè)備進(jìn)行工藝參數(shù)調(diào)整。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：步驟1具體的工作過程如下：

S11、獲取到半導(dǎo)體晶片的面積Sb、凸點的位置Wh和凸點的數(shù)量Sl；

S12、通過公式計算得到該半導(dǎo)體晶片的樣品數(shù)據(jù)Jb；

S13、將得到的半導(dǎo)體晶片的樣品數(shù)據(jù)Jb與半導(dǎo)體晶片的樣品數(shù)據(jù)閾值進(jìn)行比較。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：若半導(dǎo)體晶片的樣品數(shù)據(jù)Jb大于半導(dǎo)體晶片的樣品數(shù)據(jù)閾值時，則判定當(dāng)前半導(dǎo)體晶片需要進(jìn)行機(jī)械拋光處理，生成半導(dǎo)體晶片CNP信號并將半導(dǎo)體晶片CNP信號并發(fā)送至處理單元，處理單元接收到半導(dǎo)體晶片CNP信號后，將其進(jìn)行機(jī)械拋光處理。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：若半導(dǎo)體晶片的樣品數(shù)據(jù)Jb大于半導(dǎo)體晶片的樣品數(shù)據(jù)閾值時，則判定該半導(dǎo)體晶片不合格，表面該半導(dǎo)體晶片為生產(chǎn)得到的半導(dǎo)體晶片的殘次品，不需要進(jìn)行拋光處理，并生成半導(dǎo)體晶片不需要CNP信號。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：半導(dǎo)體晶片拋光處理的具體過程如下：

S21.HCl溶液對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行噴淋，再利用去離子水對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行沖洗，沖洗后干燥處理；