[發(fā)明專利]一種基于Mg擴(kuò)散法的p型GaN基薄膜及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211477979.2 | 申請日： | 2022-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN115911194A | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱宇峰;袁松;郭澤昊;鈕應(yīng)喜;劉志遠(yuǎn);鐘敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/32;H01L21/02;H01L21/205;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/335 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市弋江*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 mg 擴(kuò)散 gan 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于Mg擴(kuò)散法的p型GaN基薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
1)對外延生長的GaN基薄膜進(jìn)行ICP刻蝕；
2)再沉積Mg薄膜；
3)進(jìn)行退火；
4)去除殘留的Mg薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中所述的GaN基薄膜厚度為40-60nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中所述的GaN基薄膜為GaN薄膜、AlGaN薄膜或者GaN薄膜和AlGaN薄膜復(fù)合膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中所述ICP刻蝕，刻蝕時間20-30s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2)中沉積Mg薄膜的厚度為40-60nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的制備方法，其特征在于，步驟3)中所述退火條件為：退火溫度500℃～900℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，步驟3)所述退火氣體流量為1-2L/min，溫度上升速率25-35℃/s。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，步驟4)去除方法為：將步驟3)處理后的產(chǎn)品置于稀酸溶液中，浸泡，沖洗即可。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，浸泡時間為4-6分鐘。
10.一種權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述制備方法制備的基于Mg擴(kuò)散法的p型GaN基薄膜。
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