[發(fā)明專利]一種高容量長循環(huán)的低鈷單晶正極材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211477877.0 | 申請日: | 2022-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN116130618A | 公開(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 趙小康;羅桂;譚欣欣 | 申請(專利權)人: | 巴斯夫杉杉電池材料有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/36 | 分類號: | H01M4/36;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62 |
| 代理公司: | 長沙朕揚知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 43213 | 代理人: | 郭蓓霏 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 容量 循環(huán) 低鈷單晶 正極 材料 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明屬于鋰電池正極材料領域,公開了一種高容量長循環(huán)的低鈷單晶正極材料,將其顆粒內(nèi)部從外至內(nèi)劃分為第一、第二兩個區(qū)域,第一、第二區(qū)域的鈷濃度從外向內(nèi)分別以每100nm降低6%~20%、0.1%~6%的速率呈梯度分布。該設計能顯著提高首次充/放容量和倍率性能,并且可明顯改善高溫循環(huán)。還公開了該低鈷單晶正極材料的制備方法,工序簡單,成本較低,通過合適的高鎳低鈷小顆粒前驅體選擇,結合元素摻雜包覆改性與干法燒結工藝,對低鈷單晶正極材料的粒度形貌與結構進行調(diào)控,對晶體結構與表面進行修飾,形成了從外至內(nèi)的兩階遞減鈷濃度梯度分布,改善了高鎳低鈷正極材料高殘鋰,功率及循環(huán)性能差、安全性能差的共性問題。
技術領域
本發(fā)明屬于鋰電池正極材料技術領域,尤其涉及一種高容量長循環(huán)的低鈷單晶正極材料及其制備方法。
背景技術
為了滿足新能源汽車市場對續(xù)航里程日益增長的需求,高能量密度性能的競爭隨之加大,高能量鋰離子電池得到了極大的發(fā)展。在能量密度的競速下,三元正極材料的發(fā)展趨于高鎳化、高電壓化,同時也面臨著循環(huán)壽命差、安全等風險與挑戰(zhàn)。近年來,原材料資源的價格漲幅較大,作為三元正極材料的終極目標,高鎳低鈷正極材料有著極大的能量密度及成本優(yōu)勢,但同時也存在著高殘鋰、倍率及循環(huán)性能差的共性問題。
因此,針對高鎳低鈷正極材料進行改性開發(fā),解決其容量低、循環(huán)壽命差、安全等風險問題勢在必行。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是,克服以上背景技術中提到的不足和缺陷,提供一種高容量長循環(huán)的低鈷單晶正極材料及其制備方法。
為解決上述技術問題,本發(fā)明提出的技術方案為:
一種高容量長循環(huán)的低鈷單晶正極材料,所述低鈷單晶正極材料的顆粒通過EPMA分析,離顆粒表面的距離為25nm至425nm的區(qū)域為第一區(qū)域,離顆粒表面的距離為425nm至顆粒中心的區(qū)域為第二區(qū)域;
所述第一區(qū)域的鈷濃度從外向內(nèi)以每100nm降低6%~20%的速率呈梯度分布;
所述第二區(qū)域的鈷濃度從外向內(nèi)以每100nm降低0.1%~6%的速率呈梯度分布。
本發(fā)明的低鈷單晶正極材料,通過EPMA元素定量分析,所述顆粒的內(nèi)部鈷濃度從外至內(nèi)呈兩階遞減梯度分布。充分利用鈷對鋰離子擴散速率的促進作用,從表面至內(nèi)部設有兩個不同鈷濃度梯度的區(qū)域,且內(nèi)部區(qū)域的鈷濃度梯度小于外部區(qū)域的鈷濃度梯度,在形成由外到內(nèi)高嵌鋰態(tài)的鋰層通道及鋰濃度梯度效應情況下,通過高濃度鈷梯度的第一區(qū)域,極大的促進鋰離子進入晶格及擴散至內(nèi)部,緩解高鎳低鈷材料H2-H3不可逆相變,同時緩解了晶體內(nèi)部由于高嵌鋰態(tài)帶來的高極化阻抗;通過低濃度鈷梯度的第二區(qū)域,由于晶體內(nèi)部中心鋰層低鋰濃度,并且鋰離子擴散路徑較長,鋰層通道減少,鈷對鋰離子擴散速率的促進效果隨鋰濃度逐漸降低,結合第二區(qū)域鋰離子低濃度梯度,設計低鈷濃度梯度高鎳組分的第二區(qū)域,進一步提升鋰離子嵌入速度及氧化還原反應,緩解高鎳低鈷材料H1-M不可逆相變,進一步緩解了晶體內(nèi)部由于高嵌鋰態(tài)帶來的高極化阻抗,提高低電壓的容量發(fā)揮,從而發(fā)揮出更高的容量,并且極高效的發(fā)揮了鈷的增益效果,提高容量的同時降低了低鈷材料的綜合成本。這種兩階鈷濃度梯度的設計,充分結合了鋰層通道及鋰濃度梯度效應,極大提高了放電過程中鋰離子嵌入速度,極為適合在低鈷單晶材料中運用,能改善低鈷單晶材料由于擴散路徑長擴散速度慢帶來的高極化阻抗,緩解高鎳低鈷材料H1-M及H2-H3不可逆相變,并減少循環(huán)過程中的功率損失,提高材料的循環(huán)性能,此外,兩階鈷濃度梯度設計可充分高效利用鈷的增益效果,具備較高的綜合成本優(yōu)勢。
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