[發明專利]靶材用鍺圓管的加工方法

在審

• 申請號: 202211476581.7
• 申請日: 2022-11-23
• 公開（公告）號: CN115890930A
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發明（設計）人: 潘亮;彭喬;鄧衛國
• 申請（專利權）人: 安徽光智科技有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D5/04;B28D7/04;B24B5/04;B24B5/50;B24B41/06
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張向琨

1.一種靶材用鍺圓管的加工方法，包括步驟：

S1，提供鍺晶棒(M1)，鍺晶棒(M1)的長度大于成品靶材用鍺圓管(F)的長度，鍺晶棒(M1)的直徑大于成品靶材用鍺圓管(F)的外徑；

S2，將鍺晶棒(M1)切割成鍺晶切段(M2)，鍺晶切段(M2)的長度大于成品靶材用鍺圓管(F)的長度；

S3，將鍺晶切段(M2)的軸向的兩端面進行銑面，以獲得長度減小且兩端面平行的鍺晶銑段(M3)，鍺晶銑段(M3)的長度大于成品靶材用鍺圓管(F)的長度；

S4，將鍺晶銑段(M3)的外周面進行滾磨加工，以獲得直徑減小的鍺晶滾磨段(M4)，鍺晶滾磨段(M4)的直徑大于成品靶材用鍺圓管(F)的外徑；

S5，在鍺晶滾磨段(M4)立著的狀態下，將鍺晶滾磨段(M4)的軸向的一個端面用粘接料固定，粘接料能夠加熱熔化且冷卻凝固，在鍺晶滾磨段(M4)的另一個端面上進行畫圓操作，在畫圓操作中，在端面的中心畫中心大圓、圍繞中心大圓畫一圈的小圓，中心大圓的直徑小于成品靶材用鍺圓管(F)的內徑但中心大圓的直徑大于小圓的直徑，一圈的小圓直徑相同、周向彼此相切、圓心處于以端面的中心為圓心的同一圓環，各小圓與中心大圓在徑向上間隔開且間隔開的尺度大于將要采用的與小圓對應的套筒的壁厚和中心大圓對應的套筒的壁厚之和，各小圓與鍺晶滾磨段(M4)的外周間隔開，各小圓與鍺晶滾磨段(M4)的外周間隔開的最短距離大于成品靶材用鍺圓管(F)的壁厚；

S6，將處于立著的狀態下的粘接固定的畫圓后的鍺晶滾磨段(M4)沿軸向從上往下進行套料加工操作，在套料加工操作中，先對著中心大圓進行套料加工，之后對著各小圓逐次進行套料加工，以形成套料加工段(M5)，套料加工段(M5)加工出的分別與中心大圓和一圈的小圓對應的芯料(M6)依然保持在套料加工段(M5)內；

S7，在套料加工操作完成之后，加熱粘接料，以解除對套料加工段(M5)的端面粘接固定并取出全部的芯料(M6)；

S8，在取出全部的芯料(M6)之后，對套料加工段(M5)依次進行銑面、內徑加工和外徑加工的精雕加工，以分別達到成品靶材用鍺圓管(F)的長度、內徑和厚度。

2.根據權利要求1所述的靶材用鍺圓管的加工方法，其特征在于，

在步驟S2中，將鍺晶棒(M1)切割成鍺晶切段(M2)采用線切割；

鍺晶棒(M1)以保持固定立著的姿態被切割線(C)沿與鍺晶棒(M1)的軸線垂直的方向切割。

3.根據權利要求1所述的靶材用鍺圓管的加工方法，其特征在于，

在步驟S3中，鍺晶切段(M2)在立式加工中心上保持固定立著的姿態被立式加工中心將鍺晶切段(M2)的軸向的兩端面進行銑面，銑面相對彼此的平行度小于0.05mm。

4.根據權利要求1所述的靶材用鍺圓管的加工方法，其特征在于，

在步驟S4，采用外圓滾床將處于水平姿態的鍺晶銑段(M3)的外周面進行滾磨加工。

5.根據權利要求4所述的靶材用鍺圓管的加工方法，其特征在于，

在步驟S4中，還對外周面與端面之間的周緣進行倒角。

6.根據權利要求1所述的靶材用鍺圓管的加工方法，其特征在于，

在步驟S5中，采用石蠟將畫圓后的鍺晶滾磨段(M4)的軸向的所述一端面固定在套料加工的工作臺上。

7.根據權利要求1所述的靶材用鍺圓管的加工方法，其特征在于，

在步驟S6中，

套料加工操作采用的各套筒的外徑與對應的中心大圓或小圓的直徑相同、各套筒的長度大于畫圓后的鍺晶滾磨段(M4)的長度，或者，

套料加工操作采用的各套筒的內徑與對應的中心大圓或小圓的直徑相同、各套筒的長度大于畫圓后的鍺晶滾磨段(M4)的長度。

8.根據權利要求7所述的靶材用鍺圓管的加工方法，其特征在于，

在步驟S6中，畫圓后的鍺晶滾磨段(M4)的軸向的所述一端面固定在石墨板(P)上。